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海力士将建DRAM新厂 决战台湾双雄南科华亚科

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  外电报导,全球第二大存储器芯片厂韩国SK海力士将增建DRAM新厂,以因应行动装置发展带来高端DRAM需求。法人担心,大厂扩大投资之下,产业可能重启资本战,台湾DRAM双雄南科、华亚科需谨慎应对。

  外电指出,海力士规划,明年将投资至少38亿美元在既有厂房、维运与技术升级等方面,并将兴建新厂,最快于2015年初量产。

  朝鲜商业报导引述知情人士消息,指SK海力士增设二座新DRAM厂,主要考量洁净室增加有限,现有M10生产线不足以安装最先进的设备。

  华亚科及南科高层透露,DRAM厂推进20纳米制程,一定要新增洁净室,才能维持在切入20纳米制程时,仍能保持相当产能,否则总产能会因而下降,因此SK海力士新增洁净室投资,只能说是计划导入20纳米,以迎合更高端产品市场需求。

  华亚科和南科高层表示,因20纳米制程用洁净室建厂过程需耗时一年多,DRAM产业短期只有制程微缩,产出速率远低于需求增速,对明年DRAM价格仍维持平稳且乐观看法。

  DRAM市场目前已形成三星、SK海力士与美光等三大集团瓜分的局面。根据彭博报导,SK海力士第3季DRAM市场占有率为28.5%,落后于三星的37.1%,后面又有市占26.2%的美光追赶。

  业界分析,SK海力士拜DRAM价格回升,财务转佳,第3季单季税后纯益缴出9,582亿韩元佳绩,远远优于去年同期,让SK海力士银弹充裕,明年加大扩大市占的企图。

  在SK海力士无锡厂发生火灾前,DDR3 2Gb DRAM颗粒均价约在1.6美元左右,传出灾情后,报价一路上扬,据集邦科技最新报价,DDR3 2Gb DRAM颗粒,目前现货均价约介于2.34美元至2.41美元 。

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