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广晟微电子TD-HSUPA商用终端射频芯片修成正果
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1月25日晚间消息 1月21日下午，新一代宽带无线移动通信网重大专项调研组领导和专家莅临广晟微电子公司实地调研08年立项课题进展情况。广晟微电子公司董事长贺湘华、总经理王小海向调研组领导、专家一行作了详细汇报。
在会上，广晟微电子公司董事长贺湘华向调研组领导、专家一行介绍了公司的总体情况及为08年立项课题配备资源的情况。广晟微电子有限公司总经理王小海则从技术的角度详细汇报08年立项课题进展情况。总经理王小海说："在TD-SCDMA HSUPA高性能商用终端射频芯片的研发上，广晟微电子配备充足的技术人员），其中以博士和硕士为主,核心骨干具备20年以上RFIC设计经验，形成了完整的系统、射频、模拟、数字和版图等IC设计团队。
广晟微电子TD-SCDMA HSUPA高性能商用终端射频芯片预研工作启动于2007年年底。2008年7月完成设计并进行首次MPW投片。2009年3月开始向客户提供评估板。2009年7月完成芯片定型设计；2009年Q4进入小批量产投产。2010年Q1可批量供货。
目前，芯片已满足课题相关技术指标，产业化工作正在紧锣密鼓开展。2010年是‘十一五’计划的截止年度，广晟微电子将继续发挥自主创新优势和科技进步优势，进一步增强企业的自主创新实力，为振兴民族通信事业做出新的贡献。"宾主双方还就共同关心的问题进行了探讨和交流。
广晟微电子相关人士在接受C114连线时表示，目前已经与包括T3G和重邮信科等在内的芯片厂商，达成了初步合作协议。
会后，在广晟微电子公司董事长贺湘华、总经理王小海的陪同下，专项调研组领导、专家一行在广晟微电子有限公司测试室现场测试课题芯片各项射频指标。专项调研组领导、专家一行通过罗德与施瓦茨（R&S）频谱分析仪测试课题芯片的边带抑制（SB Rejection）和本振泄漏（LO leakage）<-35dBc，现场测试结果显示边带抑制（SB Rejection）<-35dBc，本振泄漏（LO leakage）<-35dBc；通过安捷伦逻辑分析仪测试了课题芯片接收矢量误差（EVM），现场测试结果显示接收矢量误差（EVM）<5%。广晟微电子公司测试室技术人员介绍，在理想状态（无干扰状况）下，接收矢量误差（EVM）可达<3%。种种测试结果均反映广晟微电子TD-SCDMA HSUPA高性能商用终端射频芯片已达课题相关技术指标，并具有线性好、噪声低等特点。
专项调研组领导、专家一行对广晟微电子公司在新一代宽带无线移动通信网重大专项科技攻关中取得的成绩给予了积极的评价，并祝愿广晟微电子公司继续保持TD-SCDMA射频技术的领先优势，加快发展，做大做强。
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