外媒详细拆解GALAXY S5：芯片级分析

iFixit、ChipWorks是一对好基友网站，前者擅长拆解维修，后者专精芯片级分析与显微观察。对于某一款设备，通常都是iFixit先拆机，ChipWorks再放出他们的芯片报告，不过前者最近似乎有些懒惰，很长时间了只拆了个HTC One M8。

对于三星的新旗舰Galaxy S5，ChipWorks忍不住先动手了，发布了初步的芯片报告，其中也包含多张拆解照片，不过分析还在进行之中，所以更深层次的显微观察还得再等等。

ChipWorks表示，他们对S5最感兴趣的地方有三个，后边会一一考察。

本次下手的机器是韩国本土版SM-G900S，整体硬件规格还是那样，但在网络方面会有所不同。

　　拆解部分只有几张图而没有任何文字说明，还是等iFixt吧。

经过辨别，Galaxy S5里的大量芯片中有六颗来自高通，而且都是特别关键的，三星自己的只有内存、闪存。

高通的芯片有：

－ 骁龙801 MSM8974AC 2.4GHz处理器(封装在内存颗粒之下)

－ PMC8974电源管理单元

－ QFE1100封包追踪功率放大器

－ WFR1620射频接收器

－ WFR1625L射频收发器

－ WCD9320音频编码器

其他芯片：

－ Avago A7007功率放大器(Band 7)

－ Avago ACPM-7617多模多频功率放大器(EDGE/3G/LTE)

－ Avago +ACW薄膜腔声波谐振器(FBAR)

－ Audience ADNC ES704独立音频处理器

－ FCI FC8080地面数字多媒体广播调谐器(韩国版独有)

－ Invensense MP65M P02881 L1405六轴陀螺仪/加速计

－ Lattice LPIK9D低功耗FPGA

－ Maxim MAX77804K可编程片上系统

－ Maxim MAX77826(可能是管理电池的)

－ NXP 47803 NFC加安全模块

－ 三星K3QF2F0DA 2GB内存

－ 三星KLMBG4GEAC 32GB闪存

－ Silicon Image SIMG 8240B0 MHL发射器

此外，据说生化传感器也是来自Maxim，但目前还找不到具体在哪里。(苹果的M7协处理器就费了好大劲才找到)

有两颗芯片无法确定身份，其一表面写着"32HUBI A5006V0 W 404 A"，可能是传感器中心，意法半导体制造。

另一颗表面编号"4452M3 E309G4"，似乎来自Semco或者意法半导体，并高度怀疑是Wi-Fi无线模块，那么内部封装的应该是博通BCM4354。

　　摄像头

Galaxy S5最亮的地方之一就是新的1600万像素、1/2.6"主摄像头。之前三星在S2、S3、Note3上使用的都是索尼传感器，这次终于用了自己的ISOCELL CMOS技术，号称能减少30%的干扰、提升30%的光敏全阱容量，自认为是取代背照式(BSI)的下一代传感器技术。

下边就是三星ISCOCELL 800万像素传感器的横断面显微图，可以看到前侧深槽隔离(F-DTI)、垂直传输栅极(VTG)两个关键技术。

注意这不是来自S5的，但技术原理是相通的。稍后就会放出S5的进行对比。

　　专用心率监测仪

在手机背部紧挨着LED闪光灯，使用红光、红外光照射你的手指，检测因脉搏跳动引起的手指表面压力变化而获得心率数据。

　　它的背面是一颗编号"C1N78B YMP4 1412"的芯片，可能是某种微控制器。

　　指纹传感器

iPhone 5S放在了Home键里，三星的做法则截然不同，并分为两部分，指纹传感器在Home键里，还接受触摸屏的输入，需要同时使用才能载入你的ID。

触摸屏里的那部分可以检测手指挥动，然后启动Home键里的传感器，而传感器本身可以做更多动作。

更具体的情况还需要进一步研究。