9V 至 72V 理想二极管桥控制器LT4320现提供

加利福尼亚州米尔皮塔斯 (MILPITAS, CA) – 2014 年 3 月 5 日 – 凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出汽车 (H 级) 和高可靠性军用 (MP 级) 版本 LT4320，该器件是一款理想二极管桥控制器，适用于 9V 至 72V 系统。LT4320 用低损耗 N 沟道 MOSFET 桥取代了全波二极管桥整流器，以将功耗和电压损耗降低 10 倍或更多。因电源效率提高而不再需要笨重的散热器，从而减小了电源尺寸。由于消除了在二极管桥固有的两个二极管压降，所以提供了额外的裕度，而使低压应用可从中受益。与其他传统电桥相比，MOSFET 桥可实现非常节省空间和功耗的整流器设计。H 级和 MP 级版本分别保证工作在 40oC 至 125oC 和 55oC 至 125oC 温度范围。

LT4320 的开关控制平滑地接通两个合适的 MOSFET，同时保持另外两个断接以防止反向电流。一个集成的充电泵无需外部电容器，就能够为导通电阻很低的外部 N 沟道 MOSFET 提供栅极驱动。MOSFET 的选择可在功率方面提供了最大的灵活性，范围从 1W 直到数千瓦。

LT4320 有两种版本可供选择：LT4320 为 DC 至 60Hz 电压整流而设计；而 LT4320-1通过加倍顶端源漏极调节电压，为 DC 至 600Hz 进行了优化。H 级版本采用 8 引脚 DFN (3mm x 3mm) 和 PDIP 封装、以及 12 引线 MSOP 封装，并具备增强的高压引脚间距，而 MP 级版本仅采用 12 引线 MSOP 封装。H 级和 MP 级版本的千片批购价分别为 3.45 美元和 8.85 美元。器件样品和评估电路板可通过在线或联系凌力尔特当地办事处查询详情。

照片说明：额定工作温度为 55oC 至 125oC 的有源桥整流器降低了功率和压降

性能概要：LT4320H / MP
低损耗方案以取代二极管桥整流器
最大限度地减少热量以减轻热设计负担
最大限度地提高电源效率和可用电压
在 9V 至 72V、DC 至 600Hz范围工作
控制四个 N 沟道 MOSFET
1.5mA 静态电流
保证工作在 40°C 至 +125°C 结温范围 (H 级)
保证工作在 55°C 至 +125°C 结温范围 (MP 级)
8 引脚 DFN (3mm x 3mm)、8 引线 PDIP 和 12 引线 MSOP 封装