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走的DDR2的一个模块,大家帮忙看看,走线规则和方案可不可行欢迎拍砖
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根据走线规则,和一些前辈的例子指导,自己画的一块DDR2和主芯片的走线,一些细节上处理的不好,没有扇出,只是很粗糙的打的孔走的额线!有很多疑问,希望和走过的和在接触DDR的朋友探讨:
细节上:
1.我把所有的DQ线都走在了顶层,没有严格的分成两组,长度匹配上也不是严格根据DQS等长的,只是这一组线的误差+/-20,范围是13001340mil,让我困惑的是,数据线几乎都要进行时序的调整;
2.为了保证始终线的质量,我把命令和控制走在了顶层,所有的地址线走在底层了
3.始终的长度是1600mil,但是因为有几根绕的很长,这一组的长度范围是14001800mil,在时钟的+/-200mil,但是有几根绕的很长,有两根接近400mil,是不是可以换到底层?
4.clk要与周围的线有20mil的间距,是在网路中进行设置吗?
5.VREF,我走在顶层的最外侧,是因为这根要走跟粗线;
方向上:
还有两点疑问:
1.DDR3可以也采用这样的方案走吗?
2.电容和电阻没有放上,电源地的处理上,有什么好的建议吗?
3.感觉蛇形走线,走的不好看!
ddr20120111_all.rar
细节上:
1.我把所有的DQ线都走在了顶层,没有严格的分成两组,长度匹配上也不是严格根据DQS等长的,只是这一组线的误差+/-20,范围是13001340mil,让我困惑的是,数据线几乎都要进行时序的调整;
2.为了保证始终线的质量,我把命令和控制走在了顶层,所有的地址线走在底层了
3.始终的长度是1600mil,但是因为有几根绕的很长,这一组的长度范围是14001800mil,在时钟的+/-200mil,但是有几根绕的很长,有两根接近400mil,是不是可以换到底层?
4.clk要与周围的线有20mil的间距,是在网路中进行设置吗?
5.VREF,我走在顶层的最外侧,是因为这根要走跟粗线;
方向上:
还有两点疑问:
1.DDR3可以也采用这样的方案走吗?
2.电容和电阻没有放上,电源地的处理上,有什么好的建议吗?
3.感觉蛇形走线,走的不好看!
ddr20120111_all.rar
恳请前辈们指教!
为什么DDR要斜45度布局?有什么特殊要求吗?
个人见解:
1.ddr3和ddr2在本质上区别不大,或者说对于layout来说区别不大,主要是在等长的精度上更加严格
2.电源、地管脚就近打孔,内层用平面,尽量让ddr不相关电源远离ddr区域
3.等长的问题就见仁见智了,每个人审美不同,主要是加大gap减小高度避免串扰
仅供参考
因为DDR的所有引脚的定义,都在那个角上,所有我觉得是不是把DDR摆成45度更好走一些!主观想法
等长的和规整,很漂亮
走得很漂亮,放成45度,我猜是为了好走等长线吧。只要等长就好,电容要就近好。最好分组,同一组放在同一层。多看看别人走的就好了。
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