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基于MOSFET与变压器原边串联的RCD缓冲电路选择
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对于MOSFET，工作时候与变压器原边串联，由于变压器漏感和MOSFET较大的开通电容的影响，使得其关断时候会承受一个很高的电压尖峰。
为了减小这个尖峰，我们使用RCD缓冲电路。如图：
RCD电路有很多类型：纯粹的RCD，带回馈电感的RCD，带回馈变压器的RCD。后边两种都是为了将消耗在R上的能量转化为电磁能量回馈电网减小损耗。
RCD工作时候，由于钎位关系将开关管两端电压限制在2Vdc，C使得开关管集电极或者漏级电压上升速度减缓。之后C通过电阻R放电，或者将能量转移到电感或变压器中最终回馈电网。
C的取值需要足够的大，使得开关管电压上升速度足够缓慢，保证开关管不受到冲击。而C因为损耗的原因也不能太大，而R的大小没有特别要求，R越小，C的放电速度越快。只需要在Ton的时间内保证C在下次开关管关断时候放完电荷就可以了。
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