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适合大功率的CCM模式APFC电路设计
功率因数校正电路的目的,就是使电源的输入电流波形按照输入电压的变化成比例的变化。使电源的工作特性就像一个电阻一样,而不在是容性的。
目前在功率因数校正电路中,最常用的就是由BOOST变换器构成的主电路,而按照输入电流的连续与否,又分为DCM、CRM、CCM模式。DCM模式,因为控制简单,但输入电流不连续,峰值较高,所以常用在小功率场合。CCM模式则相反,输入电流 连续,电流纹波小,适合于大功率场合应用。介于DCM和CCM之间的CRM称为电流临界连续模式,这种模式通常采用变频率的控制方式,采集升压电感的电流过零信号,当电流过零了,才开通MOS管。这种类型的控制方式,在小功率PFC电路中非常常见。
今天我们主要谈适合大功率场合的CCM模式的功率因数校正电路的设计。
要设计一个功率因数校正电路,首先我们要给出我们的一些设计指标,我们按照一个输出500W左右的APFC电路来举例:
已知参数:
交流电源的频率fac——50Hz
最低交流电压有效值Umin——85Vac
最高交流电压有效值Umax——265Vac
输出直流电压Udc——400VDC
输出功率Pout——600W
最差状况下满载效率η——92%
开关频率fs——65KHz
输出电压纹波峰峰值Voutp-p——10V
那么我们可以进行如下计算:
1、输出电流Iout=Pout/Udc=600/400=1.5A
2、最大输入功率Pin=Pout/η=600/0.92=652W
3、输入电流最大有效值Iinrmsmax=Pin/Umin=652/85=7.67A
4、那么输入电流有效值峰值为Iinrmsmax*1.414=10.85A
5、高频纹波电流取输入电流峰值的20%,那么Ihf=0.2*Iinrmsmax=0.2*10.85=2.17A
6、那么输入电感电流最大峰值为:ILpk=Iinrmsmax+0.5*Ihf=10.85+0.5*2.17=11.94A
7、那么升压电感最小值为Lmin=(0.25*Uout)/(Ihf*fs)=(0.25*400)/(2.17*65KHz)=709uH
8、输出电容最小值为:Cmin=Iout/(3.14*2*fac*Voutp- p)=1.5/(3.14*2*50*10)=477.7uF,实际电路中还要考虑hold up时间,所以电容容量可能需要重新按照hold up的时间要求来重新计算。
实际的电路中,我用了1320uF,4只330uF的并联。 有了电感量,有了输入电流,接下来设计升压电感!
PFC电路的升压电感的磁芯,我们可以有多种选择:磁粉芯、铁氧体磁芯、开了气隙的非晶/微晶合金磁芯。这几种磁芯是各有优缺点:
磁粉芯优缺点
优点:μ值低,不用额外再开气隙,气隙平均,漏磁小,电磁干扰比较低,不易饱和;
缺点:基本是环形的,绕线比较困难,不过目前市场上也出现了EE型的。另外,μ值随磁场强度的增加会下降。设计的时候需要反复迭代计算。
铁氧体磁芯优缺点
优点:损耗小,规格多,价格便宜,开了气隙后,磁导率稳定;
缺点:需要开气隙,另外饱和点比较低,耐直流偏磁能力比较差。
非晶/微晶合金优缺点
优点:饱和点高,开气隙后,磁导率稳定;
缺点:需要开气隙。另外,大都是环状的。
在此说明一下,环形铁芯虽然绕线比较困难,没有E型什么带骨架的那种容易绕。但是环形铁芯绕出来的电感分布电容小,对将来处理电磁兼容带来了很多便利之处。E型的骨架绕线一般都是绕好几层,层间电容比较大,对EMC产生不利影响。另外,开气隙的铁芯,在气隙处,铜损会变大(因为气隙处的漏磁在铜线上产生涡流损耗)。
下面我们就选择一种环形磁粉芯来作为我们PFC电感的磁芯。我们上面已经计算出了几个参数:
输入电流最大有效值:Iinrmsmax=Pin/Umin=652/85=7.67A
输入电感电流最大峰值:ILpk=Iinrmsmax+0.5*Ihf=10.85+0.5*2.17=11.94A
升压电感最小值:Lmin=(0.25*Uout)/(Ihf*fs)=(0.25*400)/(2.17*65KHz)=709uH
继续计算:
线圈选择电流密度为5A/平方毫米,可以计算出我们需要用的漆包线的线径为:
2×SQRT(7.67/(5×3.14))=1.4毫米
因为这是按照最极限的输入电压,也就是说按照最大的输入电流时来计算的。所以电流密度取的裕量比较大。实际按照不同的成本要求,也可以把电流密度取大一些,比如此处取电流密度为8A/平方毫米的话,那么可以得到线径为:
2×SQRT(7.67/(8×3.14))=1.1毫米
这也是可以接受的。
因为是CCM模式的工作方式,基波是低频的半正弦波,在此处我们就不考虑趋肤效应了。选用单根的漆包线就可以了。
常用的几个公式:
LI=NΔBAe
L:电感量,I:电流,N:匝数,ΔB:磁感应强度变化量,Ae:磁芯截面积
L=N×N×Al
Al:电感系数
H=0.4×3.14×N×I/Le
H:磁场强度,Le:磁路长度
计算磁芯大小的方法有几种,最常用的就是AP法,但实际上,因为磁粉芯的磁导率随磁场强度变化较大,计算经常需要迭代重复。另外,因为磁环的规格相对比较少。我们就不用AP法计算了。而是直接拿磁芯参数过来计算,几次就可以得到需要的磁芯了。经验越丰富,计算就越快了。
适合用来做PFC电感的磁粉芯主要有三类:铁镍钼(MPP)、铁镍50(高磁通)、铁硅铝(FeSiAl)。其中,铁镍钼粉芯的饱和点大概在B=0.6附近,而后两者都可以达到1以上。 此处,我们选用某国产的铁硅铝粉芯,下面是该粉芯的一些特性曲线图:
从图上可以看见,当磁场强度上升的时候,磁导率在下降。那么电感量也就会下降。所以,我们希望电感量在承受直流偏磁时不要跌落的太多,那么设计所选择的磁场强度就不能太高。我们选用初始磁导率μ0=60的铁硅铝粉芯,那么可以从图中看到,当磁场强 度为100Oe时,磁导率还有原来的42%,而当磁场强度为100Oe时,磁感应强度为0.5T,远未到饱和点。我们就把设计最大磁场强度定为 100Oe。
那么根据
L=N×N×Al
H=0.4×3.14×N×I/Le
我们得到的限制条件是:0.4×3.14×SQRT(L/Al)×I/Le100
由于100Oe时,磁导率只有初始值的42%,所以我们要对上式中的Al乘上这个系数。那么带入相关的参数L=709uH,I=11.94A,我们有:
0.4×3.14×SQRT(709E-6/(0.42×Al))×11.94/Le100,简化后得到:
0.616/(Le×SQRT(Al))100
注意:上式中,Le的单位是:cm,Al的单位是:H/(N×N)
现在,我们可以把磁芯参数带入计算了。
选择一个:
A60-572A,Le=14.3cm,Al=140nH/(N×N),Ae=2.889平方厘米,带入后得到:115100
显然磁芯不合适,再选择一个更大的:
A60-640,Le=16.4cm,Al=144nH/(N×N),Ae=3.53平方厘米,计算得到:99100,不等式满足。磁芯选定。
然后,根据99=0.4×3.14×N×I/Le计算得到N=108圈
有时,没有合适的单个磁芯,可以用两个磁芯叠加起来使用。
假如我们选择另一种材质的磁芯,选择磁导率在直流磁场下衰落比较小的高磁通粉芯,我们来看看计算结果如何。
我们选用初始磁导率μ0=60的FeNi50粉芯,那么可以从图中看到,当磁场强度为100Oe时,磁导率还有原来的65%,而当磁场强度为100Oe时,磁感应强度为0.65T,远未到饱和点。我们可以设计最大磁场强度定为100Oe。
那么根据
L=N×N×Al
H=0.4×3.14×N×I/Le
我们得到的限制条件是:0.4×3.14×SQRT(L/Al)×I/Le100
由于100Oe时,磁导率只有初始值的65%,所以我们要对上式中的Al乘上这个系数。那么带入相关的参数L=709uH,I=11.94A,我们有:
0.4×3.14×SQRT(709E-6/(0.65×Al))×11.94/Le100,简化后得到:
0.495/(Le×SQRT(Al))100
注意:上式中,Le的单位是:cm,Al的单位是:H/(N×N)
现在,我们可以把磁芯参数带入计算了。
选择一个:
H60-572A,Le=14.3cm,Al=140nH/(N×N),Ae=2.889平方厘米,带入后得到:92.5100
显然这个磁芯是可以的。
然后,根据92.5=0.4×3.14×N×I/Le计算得到N=88圈 假如用铁氧体磁芯来设计PFC升压电感呢 因为铁氧体的规格众多,所以,这时候用AP法来初步计算一下倒是很方便哦:
AP=(L×I×I×100)/(B×Ko×Kj))^1.14
=(709E-6×11.94×11.94×100/(0.25×0.75×5))^1.14
=15cm^4
上式中,B是工作磁感应强度最大值,Ko是窗口利用率,取0.75,Kj是电流密度,取的是5A/平方毫米,后面^1.14表示1.14次方。此公式见蔡宣三的《开关电源设计》一书。
经过选择,我们可以选择某公司EE55B铁氧体磁芯:Ae=4.22cm^2,Aw=3.85cm^2
4.22×3.85=16.25>15
所以可以选择此磁芯。
然后,根据LI=NΔBAe,
709E-6×11.94=N×0.25×4.22E-4
N=80,
核算一下窗口面积,假如采用直径1.4mm的漆包线,那么80×1.4×1.4/100=1.57cm^2
这个时候,如果像像上面这样窗口裕量比较大的情况下,可以适当多绕些匝数,依然通过调节气隙的方法,把电感量调节到709uH左右。可以降低工作的磁感应强度,对于抗饱和有帮助。
用铁氧体磁芯来制作PFC电感,还有一个地方需要留意的是,在开气隙的附近由于漏磁,铜损会比较大,所以对于EE型的磁芯,垫气隙可以将气隙分成两部分,比磨掉中柱的那样好,因为将气隙分散,可以减少漏磁。
接下来的设计是控制电路
应用于CCM模式的控制IC非常多,控制模式也比较多,有平均电流型,也有峰值电流型。根据经验,峰值电流型的对噪声比较敏感,更多可供选择的则是平均电流型的IC。最出名的估计就是UC3854系列了,但我个人更喜欢L4981系列的,因为L4981的外围功能更丰富,工作更安全可靠。最近几年还出现了不需要采集前级半正弦波的单周期控制方式的IC,最出名的就是infineon公司的ICE1PCS01/02系列(现在好像已经是升级到了ICE3系列了)和IR公司的IR1150。这两款IC,我个人更喜欢ICE系列的,因为IR1150是峰值电流型控制,而ICE系列是平均电流型控制。峰值电流型控制对抗噪能力偏差。由于单周期系列的控制IC外围电路极其简单,所以目前在中等功率的PFC应用场合使用非常广泛。总的来说,单周期的控制IC抗干扰能力比传统带乘法器的那类UC3854/L4981等还是差一些,哪怕是平均电流模式的单周期芯片,新出来的改进版的如何,我不了解。所以大功率场合还是建议采用传统的PFC控制IC。
本文中,我计划以ICE1PCS01为例,介绍一下它的控制电路设计。具体而详细的设计方法,还是请参阅infineon公司提供的相关技术文档。我在此处,只是把相关具体的设计提取出来,作一个简化,并按照我们上面的设计指标要求来具体计算一下。 贴出电路原理图:
实际应用的时候,我觉得应该在整流桥后面的直流母线上加一个CBB的高频滤波电容Cin。
计算如下:
1、输入高频滤波电容Cin的计算
Kr是电流纹波系数,r是电压纹波系数,通常取0.02~0.08
我们在此处把 Kr=0.20,Iinrmsmax=7.67A,fs=65KHz,r=0.05,Umin=85V代入得到Cin>=884nF,实际Cin可以取值1uF,Cin值不可太大,太大了会造成电流波形畸变。具体的值可以在调试的时候再作些调整。
2、频率设定电阻Rfreq可以从ICE1PCS01的设计资料里查图得到,65K的开关频率,对应的Rfreq约为68K。
3、Rsense电阻计算
Rsense=0.66/ILpk=0.66/11.94=0.055欧,实际取三只0.15欧/3W的无感电阻并联。
4、R3的数值令我苦恼,计算方法是,IC的ISENSE脚电流应该限制在1mA。当开机时,由于有大的冲击电流,假设冲击电流为30A,那么在电流采样电阻RSENSE上瞬间可以产生1.5V的电压,那么R3的数值应该为1.5K。但是 infineon的设计资料建议用220欧电阻。所以我有点不知所措了。不过,这里先暂时用220欧吧,设计用下来好像也没有出问题。
5、R1、R2是输出电压的采样分压电阻。由于ICE1PCS01的内部基准是5V,所以,我们这里R2取5.6K,R1取440K。
下面开始电流环路和电压环路补偿的计算。先把infineon设计资料里面提到的几个设计常数贴出来:
C1用来滤除开关频率的电流纹波,计算如下:
fave是转折频率,必须远低于开关频率,这里取开关频率的1/5,那么代入参数后,可以得到:
C1>=1.6nF,实际取值为2.2nF。
电压环路框图
其中,
那个整个电压环路的闭环增益传递函数就是:
G1就是我们要设计的误差放大器的增益传递函数。那么我们首先要计算出开环传递函数:
我们将前面的设计参数带入上面的公式,得到:
85VAC输入,满载输出时:f23=0.5707Hz
265VAC输入,满载输出时:f23=0.5665Hz
而G4=R2/(R1+R2)=0.0125673
所以我们可以分别得到85VAC与265VAC满负载时的传递函数为:
下一步,采用PSPICE仿真传递函数,首先建立一个新的PROJECT,选择模拟与混合电路仿真这项:
然后在原理图中放入ABM库中的拉普拉斯方程:
还要放入交流信号源VAC,零电位参考点。然后双击编辑相关参数,并放置网络标识符,便于观察信号波形:
设置仿真参数:
好了,可以开始仿真了。下面看结果。 开环传递函数波特图:
绿色为85VAC时,红色为265VAC时
有了开环传递函数的波特图,我们就可以通过设置G1的参数,来进行环路补偿了。
先让我们再看一次G1的表达式:
对于PFC电路而言,闭环电压传递函数的带宽要小于20Hz。我们在这里考虑把交越频率设置在10Hz处。从仿真结果上可以看出,在10Hz处的开环增益是-12.65db,
因此G1在10Hz处需要提供12.65db的增益来进行补偿。 另外,G2*G3在f23处有个极点需要补偿掉,以对相位有个提升。我们可以用fcz来补偿f23,同时在40~70Hz处放置一个极点,来快速降低增益,抑制高频干扰,我们选择fcp=50Hz。
考虑到C2>>C3,且10Hz>>fcz,所以有:
解方程得到,C2=2.73uF。由于这不是一个常用值,故而我们选择C2=1uF,然后重新计算fcz:
根据:
求解,得到R4=100.7K,实际取值100K,再由:
可以算出C3=31.8nF,实际可以取值33nF。有了这些参数,我们可以给出G1的表达式了:
现在我们可以在PSPICE中进行闭环传递函数的仿真了。
先打开原理图,把G1添加进去,如图:
然后设置好参数,开始仿真,看结果,还是绿色是85VAC的,红色是265VAC的:
至此,采用ICE1PCS01的控制电路参数设计完成。
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