一种夹层电阻结构及其应用

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1 引言

在集成电路的线路设计中，特别是模拟电路的设计中，不可避免地都会需要用到电阻。对于低阻值的应用，一般可以用铝线电阻、多晶电阻、N+电阻或者P+电阻等实现。对于更大一点的电阻，则可以用N阱电阻、P阱电阻或者高阻多晶等实现。对于更高阻值要求，或者阻值要求高但是占用面积要小且精度要求不高，这时候可以用倒比的MOS管或者夹层电阻来实现。顾名思义，夹层电阻就是被其他层次夹在中间的电阻，夹层电阻的方块阻值一般在5~50 kΩ，随着电压的提高，还可以到100 kΩ或更高。

2 夹层电阻结构及原理特性分析

2.1 夹层电阻的结构

在集成电路工艺中，实现夹层电阻有很多种方法。本文研究的夹层电阻就是其中的一种，它不需要通过额外增加光刻MASK层就能实现。图1为该夹层电阻的平面示意图。

图1中，夹层电阻区为低浓度的P型注入区，它主要利用工艺中的现有层次实现，比如Pbase层或者Pbody层。该P型夹层电阻区被N+和N阱完全包围，因此该结构就是一个被N+和N阱两个层次夹在中间的P型夹层电阻。

2.2 夹层电阻的特性

夹层电阻的优势是阻值很高，缺点是对电压比较敏感。对该夹层电阻进行I-V扫描，起始电压为0 V,步进为0.5 V,结果发现如下特性：当电阻两端电压从0开始增加时，夹层电阻的阻值迅速上升，但是到电压超过4 V左右后，电阻阻值虽然还是继续增加，但是此时呈现出线性上升的特性，即电阻跟随电压呈比例地上升，当电压到14~15 V左右时，电阻开始急剧减小，呈现出击穿效应。把上述电阻测试时的I-V数值进行曲线拟合，得到图2.

图2中，拐点Vp约为4 V,拐点Vb约为14~15 V.

2.3 夹层电阻的原理分析

观察该曲线，发现它很像MOS管的输出特性曲线。进一步分析其纵向结构发现，该夹层电阻实际上可以理解成一个P沟道的JFET管(结型场效应管)，它的纵向剖面示意图如图3所示。

图3中，JFET管的沟道区为低浓度的P型注入区，P型沟道被N+和N阱上下夹住，因此可以把N+和N阱看成JFET管的栅极(Gate)，把两个SP注入区一个看成JFET管的源端(Source)，另一个看成JFET管的漏端(Drain)。

因此在图2中，拐点Vp就是该P沟道JFET管的夹断电压，当-Vds电压超过Vp后，JFET管产生夹断，源漏电流开始趋于稳定。拐点Vb为该P沟道JFET管的击穿电压，当-Vds电压大于Vb后，JFET管产生击穿，Ids增大。

在前面的夹层电阻测试时，实际上是把PJFET管的栅端(Gate)和源端(Source)短接，形成了图4所示的连接结构。

由图4可知，只要把该JFET管的栅源短接且都接到输入工作电压Vin上，则当电压在Vp和Vb之间变化时(即Vp

一般来说，Vp在3~4 V左右，而Vb可以在10~15 V左右甚至更高，当然，由于不同工艺间的差异，Vp和Vb的大小会有所不同。

上述单器件电流源能满足输入电压在4~15 V左右之间变化时，输出恒定电流。为了获得更宽的电压范围，需要对上述电路进行改进，如图5.

[p]

如图5所示，通过把两个相同大小的JFET管串联，可以适应更大的电压变化范围，此时，可以让Vin在2Vp和2Vb之间变化时(即2Vp

根据上述原理进行类推，当串联JFET管的个数为N(N为自然数)时(见图6)，它允许的工作电压范围就是N×Vp~N×Vb,而且当N×Vp

3 振荡器的设计

3.1 振荡器的原理

利用该夹层电阻的特性，下面开始设计一款振荡器。该振荡器的设计要求为：工作电压范围为3~25 V,振荡器功耗越低越好，最好在微安级，且希望当电压在9~25 V之间变化时，振荡器的输出频率是恒定的。

在该振荡器中，由该夹层电阻(等效为P沟道JFET管)来提供恒流源，用于芯片内部振荡器的电容充放电电流。由于振荡器的振荡频率主要取决于电容充放电的电流大小，因此一旦电流恒定，则振荡频率就不变。电路要求的电压最高为25 V,根据前面的分析，单个器件的耐压会不够，因此采用双器件串联结构，理论耐压应该可以接近30 V.电路设计如图7.

图7是振荡器的简单原理示意图，实际线路在此基础上还会增加一些辅助线路。在图7中，Vosc用于控制电容的充放电状态，JFET管提供恒定电流源IR对电容C进行充电，Vx则输出到后级的电压比较器。电路工作的时候，一开始Vosc为低电平，此时PMOS管打开，基准电流IR开始给电容C进行充电，电容C上的电压Vx逐渐上升，一旦Vx达到门限电平Vt,则比较器就翻转，从而使Vosc也发生翻转变为高电平，这时，PMOS管关断，NMOS管打开，由于NMOS管放电能力较强，电容C上的电压瞬间就被放到GND,此时Vosc又翻转变为低电平，NMOS管关断，PMOS管开始充电。就这样，通过保持充电电流的恒定，使得振荡器的振荡频率也始终保持恒定。

3.2 振荡器的实现和优化

在电路的实际实现中，采用了0.8 μm的高压工艺。经过对出片电路的实际测试，发现随着电压升高，振荡器频率逐渐变快，当电压超过10 V后，频率开始维持不变，一直到电压接近30 V,频率始终不变。也就是说当电压在10~30 V之间变化时，振荡器频率恒定，振荡器的工作电流在整个电压变化范围内不超过3 μA.

显然，频率稳定的最低电压为10 V,高于设计要求的9 V.从前面夹层电阻的原理分析部分可以知道，为了降低频率稳定的最低电压，可以采用两种思路：一种是降低夹层电阻的夹断电压Vp;另一种是采用单个夹层电阻来实现恒定电流。第一种思路，夹断电压Vp主要取决于JFET沟道区的P型注入浓度，以及P型注入、N阱、N+这几个的结深，结深一般不好调节，而浓度也较难控制，因此实施有困难，而且最低电压为2×Vp,实施效果也很有限。第二种思路，主要是要提高夹层电阻的击穿电压Vb.根据对该夹层电阻的纵向结构分析可以知道，该夹层电阻的击穿首先发生在低浓度的P型注入区和上层的N+之间，也即击穿电压Vb就是N+和P型沟道区的击穿电压。

因此，尝试在低浓度的P型沟道区域上层N+的下方，用一个低浓度的N型区来外包N+,如图8.