MOSFET高速驱动设计

引言

随着电源高效、高功率密度的要求，电源的频率由原来的工频，到几十千赫兹，再到如今几百千赫兹甚至兆赫兹。电源频率的要求越来越高。如何选择合适的MOSFET，如何有效地驱动高速MOSFET，提升电源效率是广大工程师面临的问题。本文将探讨MOSFET的选型以及高速驱动线路设计的注意事项。

MOSFET结构以及影响驱动的相关参数

图1是MOSFET的电容等效图。MOSFET包含3个等效结电容C_gd，C_gs和C_ds。

通常在MOSFET的规格书中我们可以看到以下参数：其中

        C_iss=C_gs+C_gd

C_oss=C_gd+C_ds

C_rss=C_gd

这些结电容影响着MOSFET开通和关闭的速度。结电容小的MOSFET具有快速的开关速度，可以降低MOSFET开通和关闭时所产生的损耗，同时对驱动线路需求更低。

但是值得注意的是这些电容跟普通的电容并不完全相同，普通电容的容值并不会有太大的改变，而MOSFET等效电容容值会随着MOSFET V_ds的变化而变化。图2描述了MOSFET结电容随电压的变化状况。