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适用于LLC/QR大功率电源,绿达同步整流芯片GR8387
GR8387简介
GR8387 是一同步整流芯片,用于Flyback电源中次级电路 N通道MOS管同步整流的控制,GR8387 可以控制一个或多个并联的整流MOS管, 从而取代肖特基二级管。该芯片的工作机理是通过检测整流MOS管的VDS电压,选择合适时机,让同步整流MOS管开通和关断。以下是脚位定义。
谐振桥式电路分析
图1 所示为典型谐振桥式电路次级线路。用分离组件(Discrete)实现同步整流需要两个电流传感器,两个高速比较器和两个大电流、低延时的驱动器。现有的单芯片同步整流是基于锁相环技术的,从初级取信号同步控制次级整流MOS管。这种方法的缺点是不能保证在间隔模式(轻载或空载时发生)下可靠操作。同步整流(Synchronous Rectifier)技术相对这两种方法有明显的优势,它检测的是次级MOS管电压,完全不依赖初级信号,并且没有类似分离组件方法(变压器传感)响应过慢的缺点,非常适合桥式谐振电路。
图1: 谐振桥式电路次级整流示意
在谐振桥式线路中,输出电压调整可以通过定频变占空比和变频定占空比(50%)两种方式。若为变频定占空比,最小频率会出现在最低交流电压、满负载的情况下,而最大频率会出现在最高交流电压、空载的情况下。因此,在谐振桥式设计中选择 MOT 必须参考最大开关频率。MOT 的选取须保证在最轻载情况(同步整流MOS管开通时间最短)下可以正常工作。
典型线路图及元器件命名
GR8387 所必需外围组件:
C: 电源去耦电容
Rg: 同步MOS管栅极电阻
RMOT: 最小导通时间设置电阻
RCC: 供电串联电阻
如整流MOS管在低侧(即靠近零电位侧如图7 所示 MOS管的位置简称低侧,反之简称高侧即靠近输出电位侧)且输出电源在12 到 20V 间,可以直接从电源输出引入 GR8387 所需供电电压。否则,须要根据情况利用以下两种办法得到所需供电电压:
如整流MOS管在高侧,需要加辅助绕组供电
如整流MOS管在低侧,可利用变压器副边绕组抽头
图2 , 图3 所示为各种类型中为 GR8387 供电的典型线路
图2: 单端低侧整流,输出电压直接供电 (Voutput = 12-20V)
图 3: 单端高侧整流,副边辅助绕组供电 (任何输出电压)
PCB布线指南和实例:
a. 芯片放置:因芯片须检测同步整流开关管VDS电压值,为了得到快速准确的电压信号,必须将芯片尽量接近 MOS管。两者之间的走线距离不可超过 10 毫米。
b. 芯片去耦电容:为达到好的滤波效果,去耦电容应尽量接近 VCC 脚。引线尽量短。
c. MOS管电压检测VD/VS:
GR8387 可以准确的检测同步整流 MOS管漏极到源极的电压。引线应尽量短并且远离电源地。如使用SO-8封装 MOS管,VS 和 GND 两脚引线最好在 MOS管源极处连接,不可在先连接这两个管脚再接源极,如图4 所示。。在 MOS管置于低侧的设计中,若使用了电流检测电阻,不可将它置于同步整流 MOS管驱动或检测的回路中。否则会在 VCC 上产生噪声。如图14 所示。
图4 单面板焊接面视图,SO-8 MOS管,OVA接地
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