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如何设计降压转换器详解
使用开关稳压器的降压转换器具有所有转换器当中最高的效率。高效率意味着转换过程中的能量损耗更少,而且能简化热管理。
图1显示了一种降压开关稳压器的基本原理,即同步降压转换器。“同步降压”指的是MOSFET用作低边开关。相对应的,标准降压稳压器要使用一个肖特基二极管做为低边开关。与标准降压稳压器相比,同步降压稳压器的主要好处是效率更高,因为MOSFET的电压降比二极管的电压降要低。低边和高边MOSFET的定时信息是由脉宽调制(PWM)控制器提供的。控制器的输入是来自输出端反馈回来的电压。这个闭环控制使降压转换器能够根据负载的变化调节输出。PWM模块的输出是一个用来升高或降低开关频率的数字信号。该信号驱动一对MOSFET。信号的占空比决定了输入直接连到输出的导通时间的百分比。因此,输出电压是输入电压和占空比的乘积。
选择IC
上面提到的控制环路使降压转换器能够保持一个稳定的输出电压。这种环路有几种实现方法。最简单的转换器使用的是电压反馈或电流反馈。这些转换器很耐用,控制方式很直接,而且性价比很好。由于降压转换器开始用于各种应用中,这种转换器的一些弱点也开始暴露出来。以图形卡的供电电路为例。当视频内容变化时,降压转换器上的负载也会变化。供电系统能应付各种负载变化,但在轻负载条件下,转换效率降得很快。如果用户关心的是效率,就需要有更好的降压转换器方案。
一种改进方法是所谓的磁滞控制,Intersil的ISL62871就是采用这种控制方法的器件。转换效率与负载的曲线如图2所示。这些转换器是针对最差工作条件设计的,因此轻负载不是持续的工作条件。这些DC-DC转换器对负载波动变化的适应性更好,并且不会严重影响系统效率。
图2,Intersil ISL62871的负载与效率曲线,Vout=1.1V
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选择开关频率
尽管器件的开关频率有时是固定的,还是有必要讨论开关频率的问题,主要的权衡因素是效率。简而言之,MOSFET有确定的导通和关断时间。当频率增加时,过渡时间在总时间中所占的百分比会增加。结果是:效率降低了。如果效率是最重要的设计目标,就需要考虑降低开关频率。如果系统效率足够高,就可以采用更高的开关频率。频率更高,就可以使用更小的外部无源器件,即输出电感器和电容器。
外部器件
设计分立解决方案是相当有难度的,大约需要40个器件,这是个需要额外付出大量努力的复杂工作。在设计电压模式降压控制器时,外部器件和其寄生效应对系统性能起了很大的决定作用。在讨论每种器件时,我们再详加叙述。
采用这种特殊降压转换器时,我们必须选择5个额外器件,包括输入电容、输出电容、输出电感器,高边和低边MOSFET。选择输出电感器时,要满足输出纹波的要求,以及减小PWM对瞬态负载的响应时间。电感器感值的下限是由纹波要求确定的。在寻找最小(可能也是最便宜的)电感器之前,要记住的一点是,电感器并不是完美的器件。实际的电感器有饱和等级。饱和级别必须高于系统中的峰值电流,才能设计出成功的产品。有经验的设计者还明白,感值并不是不随电流变化的常量。事实上,流过器件的电流越大,感值会降低的。请核实电感器的数据表,确保你所选择的感值对系统中的峰值电流是足够的。在更大层面上可能犯的错误是选择最好的电感,虽然小心谨慎还是必要的。更大的感值可以减少输出纹波,但也会限制压摆率。最终,大电感会限制对负载瞬态的响应时间。因此在选择电感器时,是选择在更低的峰峰值纹波电流条件下更安静的输出,还是需要系统能够对瞬态事件做出快速的响应,是需要做出明确的折中。
输入电容负责吸收高边MOSFET输入电流的交流分量。因此,其RMS电流容量必须足够大,才能处理由高边MOSFET汲取的交流分量。由于质量和低温度系数,陶瓷电容器可以对高频分量进行去耦。降压电容器提供更低频率的RMS电流,这取决于占空比(当系统的工作占空比比 50%越大,RMS电流越大)。降压电容可以是几个多层陶瓷电容器。然而在低成本应用中,通常使用几个并联的电解电容器。如果是采用表面贴装,可以选固态钽电容用作降压电容,但是必须仔细核对电容器的浪涌电流等级(浪涌电流通常出现在启动时)。在选择降压转换器系统中的任何电容器时,需要寻找具有小等效串联电容(ESL)、小等效串联电阻(ESR),最后是所需的总电容。还有,就是根据约算选择最优的器件。对于电容电压等级,还有一点需要注意。为减少难以发现的故障,可以选择电压等级是输入电压的1.2~1.3倍的电容器,也就是说,电压要跨越输入电压的范围。
在出现瞬态变化期间,输出电容器必须对输出进行滤波,再向负载提供电流。有趣的是,等效串联电容(ESR)和电压等级比实际容值对选择什么样的电容器影响更大。请注意,来自电感器的峰峰值电流纹波会通过输出电容器的ESR,转换成峰峰值电压纹波。由于系统可能对输出电压纹波有限制,选择一款最小化ESR的电容(或一组并联电容器)就变得十分重要。当然,电容器必须有足够的电压等级。根据这些要求,就可以从供应商的电容器清单中选出最合适的方案。最后要注意的一点是,要对ESR数据加以更多的关注,因为数据表里的ESR数据可能并不是在你所选用的开关频率下得出的。请检查数据表,查看调整过的ESR数值。
一般根据Rds(on)、栅极电荷和热管理需求来选择MOSFET。查看几家制造商的数据表,可以选择象Infineon BSC050N03LS这样的器件,该器件的栅极电荷为35nC,高边MOSFET的Rds(on)为5mΩ。对应地,可以选择Rds(on)为1.6mΩ的低边 MOSFET(BSC016)。
使环路闭合
前面已经讨论过,输出要反馈到输入端,这样就产生了一个补偿环路。补偿的方式有很多种,比如Type I、Type II和Type III。Type I是单极点方案,Type II是带有一个零点的双极点方案,Type III是带有两个零点的三极点方案。每种方案的元器件数量都比前一种要多,不过也使得设计灵活性更好。从性能考虑,通常将这个环路的带宽设置为大约是开关频率的四分之一。环路频率与实际开关频率重叠得越多,环路响应就越快。此外,要确保相位裕量大于30°,小于180°,这是一个典型的稳定性标准。
电压模式转换器的设计流程与磁滞降压转换器的流程类似。幸好,高质量的磁滞模式控制使外部器件的寄生效应不那么重要。其他流程也是类似的。
下面对设计降压转换器的过程稍加总结。选择完控制器IC后,再选择相应的外部器件。对每种选择方案来说,参数的重要程度是不一样的。选定 MOSFET、输出电感器、输入和输出电容器后,再设计补偿电路。
人们已经做了大量工作来设计一款良好的降压转换器,而且现在已经有了集成度更高的版本。有些设计集成了MOSFET,有些设计集成了补偿电路,还有的集成了输出电感器。用户所 [p]
需要的只是设定输出电压的电阻、输入电容器和输出电容器,这对忙碌的系统设计者来说的确是个好消息。
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