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倒装焊结构发光二极管及其制造方法概要
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本发明公开了倒装焊结构发光二极管及其制造方法，包括：在散热基板上制作第一金属层，并分别形成ｐ电极区和ｎ电极区；在所述第一金属层上形成金属凸点阵列；在ＬＥＤ芯片的ｐ、ｎ电极上形成第二金属层；将所述ＬＥＤ芯片的ｐ电极和ｎ电极分别对应所述散热基板上的ｐ电极区和ｎ电极区键合，并对相接触的第二金属层和金属凸点阵列加压、加超声、加热。本发明的倒装焊结构发光二极管，包括：一散热基板；第一金属层，位于所述散热基板之上，包括了ｐ电极区和ｎ电极区；金属凸点阵列，位于所述第一金属层上的ｐ电极区之上；ＬＥＤ芯片，所述ＬＥＤ芯片的ｎ电极位于所述第一金属层的所述ｎ电极区之上，所述ＬＥＤ芯片的ｐ电极位于所述第一金属层的所述ｐ电极区之上。
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