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蓝色发光二极管晶片制备技术的一些缺陷
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LED
晶片厂商在制作LED蓝色芯片工艺大致分四种：
1.蓝宝石衬底GaN基质LED
这是大多数晶片厂商常用方式，尽管还在提高材料生长和器件的制作水平，但蓝宝石衬底不导电，导热性能差、划片困难，抗静电力差，倒装焊工艺复杂，并且横向电阻大，高电流密度下工作电压高，浪费能耗。
2.碳化硅衬底GaN基质LED
由于衬底导电且导热，目前 半导体照明 芯片占优势，不过其价格太高，且划片困难。
3.GaN衬底GaN基质LED
这种工艺在外延材料质量可以明显提到，但价格存在太高，且器件加工困难。
4. 硅片 做GaN材料衬底
此工艺能使晶片具有良好导电性，晶体质量高，尺寸大成本低，易加工。但GaN外延材料与硅衬底之间巨大的 晶格 失配和热失配，因此硅衬底上难得器件质量的GaN材料。
1.蓝宝石衬底GaN基质LED
这是大多数晶片厂商常用方式，尽管还在提高材料生长和器件的制作水平，但蓝宝石衬底不导电，导热性能差、划片困难，抗静电力差，倒装焊工艺复杂，并且横向电阻大，高电流密度下工作电压高，浪费能耗。
2.碳化硅衬底GaN基质LED
由于衬底导电且导热，目前 半导体照明 芯片占优势，不过其价格太高，且划片困难。
3.GaN衬底GaN基质LED
这种工艺在外延材料质量可以明显提到，但价格存在太高，且器件加工困难。
4. 硅片 做GaN材料衬底
此工艺能使晶片具有良好导电性，晶体质量高，尺寸大成本低，易加工。但GaN外延材料与硅衬底之间巨大的 晶格 失配和热失配，因此硅衬底上难得器件质量的GaN材料。
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