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高压MOS/IGBT的短路保护电路设计

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带短路保护锁定的驱动的3脚为短路信号检测入端;2脚为驱动地;1脚为驱动输出。

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当电路存在短路的时候流过MOS的电流很大在S极电阻两端产生的压降导致三极管由截止进入导通(当然导到什么程度具体跟MOS的跨导有关系)，因此驱动电阻上面有压降，MOS进入放大区。这个时候高电压不会通过MOS进行强电流放电，因而芯片不会有局部过热的可能，在很短的时间内保护电路检测到短路存在关闭并锁定驱动电压输出，MOS仅承受了动作时间内的恒流功率损耗，安全性得到了很大提高。

此电路仅作为理解原理使用具体参数看实际工况选取。

S级的电阻是根据你选定的MOS的IDM(Pulsed Drain Current留余量)选定的,至于跨导这个不是主要因数;这里三极管并不工作在开关状态他只是根据MOS的瞬态电流值调整MOS的驱动电压,保证在短路出现的时候IDM不至于超出安全工作范围,这个时候由于在1US甚至更短的时间内驱动已经被关断并锁定,所以不存在过功损耗.三极管的反映时间越快越好.其实这个电路是电流负反馈电路演变过来的.电路如下:

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