( 解说) 负载对驱动的要求

本次主要想探讨阻性/感性/容性/电流型负载对驱动的要求，与大家分享，请网友看看有何不足，先看一个图吧，FET的等效模型是：

用它做成的半桥;就成了这样的一个电路：

空载开关时;电路变成这两个工作模式：

上图是高边开关;低扁关断状态。下图是低边开关;高边关断状态。两个状态组成一完整开关周期。这个现象会导致半、全桥空载时发热。它不仅发生在开路状态;而且还会发生在容性负载和硬开关电路里。适当的控制“开”的速度;防制上下之通是必要的。

高端FET开关状态下;导通再关闭后，由于CDS1、CDS2的电容储能，Q1关断;输出仍为+Vbus。此时;Q1栅电压为0V，但是;Q1并没因此而承受电压。即Q1是零电压关断;关断过程;栅电压没有平台!没有弥勒效应区!经过一段死区时间后;低端FET导通，此时此刻;高端早已关断的FET的D-S终于承受了电压!虽然是空载;但在这过程中发生了一系列的电压电流变化，看图解![p]

高边FET导通后;向Cds2充电/Cds1放电，输出达到正电源电压。FET关断时;由于电容无放电回路(Q2断)，电容电压保持不变，Q1零压管断(无弥勒效应)。Q1关后;仍由于电容做用而不承受电压。

用正驱动脉冲开启Q2，当栅电压达到门坎时;Q2开始通。Cds2短路放电;Cds1充电。显然;Q2是硬开通。Q1此时开始实质性承受电压。由于Cdg1的充电;导致在Q1驱动栅电阻上产生电压。当感应电压达到门坎时;Q1/Q2瞬间发生上下直通。

半个周期描述结束，在此思考下半个周期的工作过程。

低端的管子是硬开通软关断;高端皆然。这里引用网友helen闸的实测波形，供大家讨论。注意：“ON”是;有明显的弥勒效应平台，“OFF”时;没有。(电源网原创转载注明出处)