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双极型晶体管和MOSFET在电源开关中的应用

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在用作电源开关时,双极型晶体管和MOSFET各有优势。本文分析了二者的导通阻抗和驱动要求,并列举了两个应用实例,以便帮助工程师在设计中做出正确选择,发挥系统设计的最佳性能。

近年来业界在MOSFET的技术和市场上投入颇大,对双极型晶体管的关注有所减弱,以致许多设计工程师将其视为一种过时的技术。目前,由于双极型晶体管的性能不断获得提升,它在许多应用中可与MOSFET相媲美,甚至超越后者,本文对两者在电源开关中的应用进行了比较分析。

导通阻抗的比较图1:不同器件的导通阻抗(20V器件)。

设计工程师通常比较关注在给定的击穿电压下的导通阻抗。沟道MOSFET通过增加沟道密度来降低导通阻抗。在击穿电压较低时效果十分显著,不过电流却集中在狭小的沟道区。对于击穿电压高的MOSFET,由于轻掺杂的漏极区阻抗较高,随着击穿电压增高,导通阻抗也会增高,它们之间的关系为:

Rds(on)( BV2.6

值得注意的是,在驱动条件正确时双极型晶体管的导通阻抗通常都比同面积的MOSFET更佳(图1)。通过优化工艺技术和芯片布局,可使电压偏置和电流飘移均匀地分布在整个芯片区内,以便尽量增大芯片效率。此外,作为饱和开关工作时,双极型晶体管可从阻性集电极区域的传导调制(conductivity modulation)中受益,从而大幅降低Rce(sat)。MOSFET却没有任何类似的传导调制机制,这是双极型晶体管的优势之一。如图2所示,Zetex的第三代系列晶体管的击穿电压和集电极-发射极间的关系为:

Rce(sat) ( BV2

这两个表达式中不同的指数表明,在击穿电压增加时,双极型晶体管比同面积的MOSFET的导通阻抗更佳。例如,额定击穿电压为450V的FMMT459图2: Zetex第三代系列晶体管的击穿电压与RCE(sat)的关系。 NPN晶体管电流为150mA,Rce(sat)的典型值为1.4Ω,可采用SOT-23封装。额定击穿电压类似的同面积MOSFET的导通阻抗则较高,除了电流性能较差,还必须采用D-PAK等封装形式。此外,双极型晶体管的截止电压是双向的,分别为BVebo 和BVeco。由于双极型晶体管具有这一性能,当我们需要双向截止时,便无需串联一个二极管或增加一个背靠背的MOSFET对,从而避免因加入这些器件而产生传导损耗 (见应用实例1)。

开关阻抗与温度的关系是确定电源开关电流特性的另一个重要因素。由于双极型晶体管的增益随着温度上升而增加,同时其Vce(sat)中的Vbe分量减少,因此双极型晶体管Rce(sat)的增量通常是MOSFET中的Rds(on)的一半。由于这一特性,在电流密度较高时,双极型晶体管比MOSFET工作时更不易发热,同时比相同面积的MOSFET中的持续电流更高。

驱动要求的差异

双极型晶体管与MOSFET的驱动要求差别极大,在进行比较时应注意这一点。例如,双极型晶体管需要足够的基极电流以便获得最小Rce(sat),同时在计算功耗时要考虑到基极驱动损耗。高增益双极型晶体管的这一损耗较小,由于双极型晶体管只需要不到1V的电压便可完全导通,同时具有极佳的温度稳定性,这些特征在低压或电池供电应用中极为有用。而MOSFET的栅极电流只用于对栅极充电和放电。不过,为了获得最小Rds(on),栅极驱动电压十分重要,当驱动电压接近栅极阀值电压时,导通阻抗大幅增加。由于这些原因,为了公平地比较图1中所示的各种器件,我们选择了驱动电流和电压的最大值。

作为依靠多数载流子工作的器件,MOSFET的开关速度超过1MHz,从而使其驱动电路有足够大的电流来对寄生电容进行充放电。另一方面,利用它在线性区工作时的大电流及快速开关特性,双极型晶体管通常用作MOSFET预驱动器(见例2)。不过,当双极型晶体管作为饱和开关工作时,在每个开关周期内电荷的累积和消除过程延长了关断时间,将其实际开关速度限制到几百kHz。

由于其本身的特性,MOSFET对ESD十分灵敏,当静电电荷引起栅极电压超过其击穿电压时,它会出现突变失效。如果装配正确,可以将ESD失效降至最低,但却无法完全消除。相比之下双极型晶体管则比较迟钝,可轻易通过标准人体ESD测试。

上述多个因素均会影响电路总成本。了解每种技术的优缺点可获得最佳的性价比。双极型晶体管和MOSFET主要特性区别如表1所示。图3: 典型的线性充电器电路图。

应用实例

例1:线性电池充电器

线性充电器十分小巧而且设计简单,不产生电磁干扰(EMI),因此适用于低噪声环境。它们采用一个外部滤波元件将输入电源的电压降低到电池电压,因此功耗较高。下图为一个带有ZXT13P20的典型线性充电器电路。晶体管的功耗主要为集电极-发射极间功耗。

Pd(CE)=ICHG×(VIN-VDCD- VSENSE) (W)

其中VSENSE =ICHG×RSENSE (V)

器件选择标准通常包括电流特性、电流增益、成本及封装损耗。由于双极型PNP晶体管的双向截止性能,它们适用于在此类场合,而MOSFET则需要串联一个肖特基二极管,以防止电流从电池逆向涌入电源。

例2:MOSFET栅极驱动器

大电流低Rds(on)的MOSFET具有栅极电容,需要若干安培的电流来成功驱动其高频动作。预驱动器件常常通过一个电阻为MOSFET供电,因此栅极电压随一个特定的RC时间常数而变化。这一时间必须足够短,以便保证电流经过线性区时不产生额外损耗,但又不能太短,以免引起EMI问题。

开关过程中的平均栅极电流可通过下式计算:

Ig=Q/t

其中:

Ig是平均栅极电流,Q是栅极总电荷(Qgs+Qgd),t是开关时间(t或t)。

例如,典型的100V、35mΩMOSFET需要近50nC,因此栅极需要2.5A的电流,以便使器件的开关时间小于20ns。

栅极驱动器解决方案包括专用IC驱动器、逻辑IC、离散MOSFET和双极型晶体管。选择标准通常包括开关速度和电流特性、电流增益、成本和尺寸。在这些可选器件中,双极型晶体管在线性模式下可快速开关、并具有大脉冲电流及高电流密度(从而可降低尺寸和成本)等特性,因此非常适用。双极型不可逆图腾柱(即推拉式,totem-pole)驱动器是最常用且最具有成本效益的驱动电路之一。

在上例中,如果要求MOSFET在5V电源驱动时的开关速度为1MHz,则每个驱动器晶体管的功耗为:

Pd=((V驱动*I*t*f)(2)+(Veb*(IC (Hfe))(2

=((5*2.5*2E-8*106)(2)+((0.8*8.3)(2)

=128(mW)

假设基极电流来自V驱动,则驱动电路的总损耗为:

Pd=((V驱动*I*t*f)(2)+(V驱动*(IC (Hfe))(2

=((5*2.5*2E-8*106)(2)+((5*8.3)(2)

=146(mW)

由于两个器件的总功耗仅为256mW,因此选择小型表面贴装双极型晶体管比较理想。

作者:Peter Blair

离散产品开发部经理

Zetex公司

Email: lcollier@zetex.com

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