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关于如何确定电动车控制器“短路保护时间”的探讨
短路模型及分析
短路模型如图1所示,其中仅画出了功率输出级的A、B两相(共三相)。Q1和Q3为A相MOSFET,Q2和Q4为B相MOSFET,所有功率MOSFET均为AOT430。L1为电机线圈,Rs为电流检测电阻。
当控制器工作时,如电机短路,则会形成如图1中所示的流经Q2,Q3的短路电流,其电流值很大,达几百安培,MOSFET的瞬态温升很大,这种情况下应及时保护,否则会使MOSFET结点温度过高而使MOSFET损坏。短路时Q3电压和电流波形如图2所示。图2a中的MOSFET能承受45μs的大电流短路,而图2b中的MOSFET不能承受45μs的大电流短路,当脉冲45μs关断后,Vds回升,由于温度过高,仅经过10μs的时间MOSFET便短路,Vds迅速下降,短路电流迅速上升。由图2我们可以看出短路时峰值电流达500A,这是由于短路时MOSFET直接将电源正负极短路,回路阻抗是导线,PCB走线及MOSFET的Rds(on)之和,其数值很小,一般为几十毫欧至几百毫欧。
合理计算保护时间
在实际应用中,不同设计的控制器,其回路电感和电阻存在一定的差别以及短路时的电源电压不同,导致控制器三相输出线短路时的短路电流各不相同,所以设计者应跟据自己的实际电路和使用条件设计合理的保护时间。
图1
图 2
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短路保护时间计算步骤:
①计算MOSFET短路时允许的瞬态温升
因为控制器有可能是在正常工作时突然短路,所以我们的设计应是基于正常工作时的温度来计算允许的瞬态温升。MOSFET的结点温度可由下式计算:Tj = Tc + P×Rth(jc)
其中:
Tc:MOSFET表面温度
Tj:MOSFET结点温度
Rth(jc):结点至表面的热阻,可从元器件Date sheet中查得。
一般来说,一只控制器输出功率为350W时,并且采用同步整流技术,续流侧MOSFET的耗散功率为20W左右,即P=20W。同时我们假设MOSFET工作时的表面温度Tc为100℃(炎热的夏季MOSFET的表面温度一般都会达到此值),则: Tj = Tc+P×Rth(jc) = 100+20×0.45 = 109℃。
理论上MOSFET的结点温度不能超过175℃,所以电机相线短路时MOSFET允许的温升为:Trising = Tjmax - Tj = 175-109 = 66℃
②根据瞬态温升和单脉冲功率计算允许的单脉冲时的热阻
由图2可知,短路时MOSFET耗散的功率约为:P = Vds×I = 25×400 = 10,000W
脉冲的功率也可以通过将图二测得波形存为EXCEL格式的数据,然后通过EXCEL进行积分,从而得到比较精确的脉冲功率数据。
对于MOSFET温升计算有如下公式: Trising = P×Zθjc×Rθjc
其中:Rθjc: 结点至表面的热阻,可从元器件Date sheet中查得。
Zθjc: 热阻系数
由上式变形可得: Zθjc = Trising÷(P×Rθjc)
代入数据得:Zθjc = 66÷(10,000×0.45)= 0.015
③根据单脉冲的热阻系数确定允许的短路时间
由图3最下面一条曲线(单脉冲)可知,对于单脉冲来说,要想获得0.015的热阻系数,其脉冲宽度不能大于20μs。
图3
设计短路保护应注意的几个问题:
①由于不同控制器的PCB布线参数不一样,导致相线短路时回路阻抗不等,短路电流也因此不同。所以,不同设计的控制器应根据实际情况设计确当的短路保护时间。
②由于应用中使用的电源电压有可能不同,也会导致短路电流的不同,同样也会影响到保护时间。
③注意控制器实际工作时的可能最高温度,工作温度越高,短路保护时间就应该越短。
④本文讨论的短路保护时间是指MOSFET能承受的最长短路时间。在设计短路保护电路时,应考虑硬件及软件的响应时间,以及电流保护的峰值,这些参数都会影响到最终的保护时间。因此,硬件电路设计和软件的编写致关重要。
⑤本文讨论的短路保护时间是单次短路保护时间,短路后短时间内不能再次短路。如果设计成周期性短路保护,则短路保护时间应更短。
短路保护在瞬间大电流时能对MOSFET提供可靠的快速保护,大大增加了控制的可靠性,减少了控制器的损坏率。
图4:智能无刷控制器功能图。
作者:葛小荣
高级应用工程师
万代半导体元件(上海)有限公司
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