扩展升压稳压器输入、输出电压范围的级联 MOSFET

　　在 IC1的 VCC脚和电感 L1的一只脚上加上输入电压 VIN，使 IC1的内部 MOSFET 开关Q1 导通，于是逐步增加了从VIN通过 L1、Q1和内部电流检测电阻R1的电流量。当电路内部的控制器监测到检测电阻R1上的电压并达到一个预设的电流限值时，就关断Q1。

　　流过L1电流的中断会升高电感上的电压，使二极管D1正偏，D1导通，为输出电容器C1充电至一个较高电压，这个电压高于单独的输入电压。输入电压、L1的电感以及通过 R1的预设峰值电流都会影响Q1的导通时间、IC1的FB（反馈）脚检测的输出电压，并且其外接元件决定了Q1的关断时间。为了维持运行以及设定Q1的关断时间，IC1的内部控制器必须用Q1和R1监视通过L1的电流。

　　当应用所需输出电压高于内部晶体管的击穿电压时，可以再接一个更高电压的 MOSFET Q2（图 2）。为保持电路通过 L1 和 IC1 的SW 脚的电流路径，要将外接晶体管接成级联方式，或采用共栅级结构。

　　Q2由一个低导通电阻、低栅极电压阈值的 MOSFET 以及Q2栅-源极之间的二极管D2组成。为保证电路的正常运行，VCC（本例中为 5V）必须超过Q2的栅极导通阈值电压。在工作时，IC1的内部控制电路使Q1导通，将Q2源极拉至地电位，5V左右的栅源电势使Q2导通。

　　外接了Q2 以后，电流流经电感L1、外接晶体管Q2、内部晶体管Q1和检测电阻R1，IC1 的控制电路看上去没有什么不同。当电感电流达到预设值时，Q1关断，Q2没有了源极电流的流通路径。Q2 漏极电压快速上升达到所需输出电压与D1 压降之和。随着漏极电压的升高，Q2 的漏-源电容会将 MOSFET 浮动的源电压拉至5V以上，从而使D2正偏，IC1的SW脚电压变成5V与一个二极管压降之和，并将Q2的源极箝位在相同的电压上。

　　图中是一个升压转换器，它从9V电源（V ）为一个激光电路提供4mA 180V输出（VOUT）的偏压。在本应用中，5V输入电源要求能提供足够的电流（通常在数毫安量级），驱动 IC1的内部逻辑和级联MOSFET Q2的栅极。可以用一支降压电阻和齐纳二极管稳压器（图中未显示）从9V获得需要的5V电源。可以用一个公共电源驱动电感和IC1，也可以用一个不超出 Q2额定击穿电压的独立电源驱动电感和IC1。级联电路也可以产生不超出Q2额定击穿电压值的任何输出电压。其它元件则选用相应的额定电压，例如，电感L1和电容C1的额定击穿电压应大于要求的输出电压值。