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有源钳位正激转换器之运作
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此系列文章的第1部份（正激 转换器及传递函数基础知识）专门研究了经典的以三次绕组为基础的正激转换器。在正激架构中，能量从源极吸收，并在功率开关导通时间期间传输至负载。在此刻，磁化电流给磁芯储能，但在功率传输方面不发挥作用。为了使磁芯远离饱和，您必须确保在下一个周期出现前变压器恰当退磁。这就是三次绕组的目标，虽然它也有电压应力及硬开关方面的缺点。
有源钳位技术不仅限制功率晶体管漏极在关断时的电压偏移，还帮助在某些条件下实现近似零电压开关(ZVS)动作。当开关损耗降至最低时，就变得更易于增加开关频率并且减小磁性元件尺寸。此系列文章的第二部份为您介绍有源钳位正激转换器之动作，并求解其大信号和小信号响应。
带有源钳位的正激转换器
图1所示的是简化的有源钳位式正激转换器。次级侧没有变化，仍然是降压型拓扑结构。变化的是初级侧，变压器不再有三次绕组。电路图中出现了另一个受控开关Q2，它连接漏极节点至额外电容Cclp。在此表征电路图中，Cclp透过N沟道晶体管Q2(图中特意绘出了它的本体二极管)连接至直流输入线路。此晶体管要求特殊的高边驱动器，因为它的源极浮动。此驱动器可以是专用集成电路的形式，但也可使用高压脉冲变压器。
图1：钳位电容连接至输入直流轨，限制关断时的漏极电压偏移。
如果说N沟道晶体管通常应用于高压AC-DC有源式钳位转换器(高达400 V直流轨)，大多数DC-DC电信砖式转换器(输入电压较低，为36至72 V)采用的则是P沟道晶体管。如图2所表征的那样，钳位电容此时对地参考，能够使用P沟道晶体管；而P沟道晶体管的对地参考驱动电压比此系列文章中第1部份中论及的方案更易于详尽说明。从直观上讲，如果漏极应力在配置上类似，P沟道MOSFET的Cclp额定电压大于N沟道MOSFET的Cclp额定电压。
详细全文请见pdf文挡：有源钳位正激转换器之运作
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