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LCD驱动技术的最新进展
LCD显示器有两大发展方向。一个方向是屏幕尺寸更大、分辨率更高、动态画质更好的LCD-TV,其中最重要的任务是提高运动图像的质量,即解决LCD显示器天生的运动伪像问题。另一个方向是用于移动显示(例如手机显示屏)的显示屏向着更高速、更高分辨率方向发展,即移动显示屏要显示1280×800或1366×768像素的视频信号和画面,屏幕尺寸也加大到5英寸~6英寸。为此要开发出一系列成本低、功耗低的芯片。
维持型显示和较慢的时间响应是LCD产生运动伪像(Motion Artifacts)的原因。CRT显示属于瞬态显示,每个像素荧光粉在一帧中只有在约0.1ms时间内被电子束激发而发光,显示该位置图像的亮度,然后在约1ms时间内衰减到零。在下一帧中再发光,显示另一个位置。人眼感受到的运动是平滑的,其中暗的时段被人眼的低通时间响应特性(即所谓视觉暂留)滤掉了。TFT-LCD是维持型,显示任何运动物体,在一帧时间内总是停留在一个位置上,在下一帧跳到另一个位置,加上人眼对运动物体的自动跟踪特性,将不同帧的发光强度积分在一起,人眼因此对运动图像感到模糊,这就是运动伪像。解决LCD较慢的响应时间可采用过驱动(OD,Over Drive)技术,以此将液晶(LC)的响应时间降低到8ms或更短。但是如何正确选择过驱动电压的大小仍是一个较大的技术问题。过分的OD将使运动目标边缘产生亮、暗双边,即过驱动中的边缘伪像;不足的OD则使LC的响应时间不够短,引起运动图像模糊。即使LC的响应时间问题已完满地解决,LCD维持型显示器特性仍会对运动图像产生一系列伪像。对于高分辨率大显示屏,运动伪像问题变得严重。因此出现一系列降低维持时间(即积分时间),使LCD显示更接近于瞬态型显示的措施,以减轻运动伪像的生成。
下面对2008 SID 有关LCD各种专题讨论会上提出的各种提高LCD运动图像质量的措施作部分汇总。
用新的驱动方案实现超高清
LCD-TV屏尺寸越大,对像质要求越高。三星公司于07年在SID展览会上曾展出世界上最大的70英寸全高清(FHD) LCD-TV。如分辨率保持不变,屏尺寸大了会影响观看的舒适度。例如40英寸FHD屏的像素密度为55 PPI(每英寸像素数),而对于80英寸FHD屏,其像素密度减为27.5 PPI。对于40英寸FHD屏,选视距大于屏高的三倍;用同样的视距观看80英寸FHD屏,则视角从33o增至60o,临场感大为增加(如图1所示)。但如仍保持40英寸FHD屏的1920×1080像素容量,则会感到像素密度不够。所以置于近处看的80英寸屏,需要超高清(UD),即像素容量应增至3840×2160,为40英寸FHD屏的四倍。
图1 屏尺寸与视角的关系
对UD-TV,采用电荷分享S-PVA 充电技术
为了正确地驱动UD大LCD屏,列驱动数据电压必须有效地从列驱动器传输出去,并保存到每个TFT源的输入端。对于82英寸的UD大屏,每个像素的充电时间不但减少一半,还由于传输路径的增长,增加了延迟。
显示器结构采用三星公司常用的S-PVA结构,如图2所示。每个像素具有八个畴,分为A、B两个可以独立驱动的子像素。
图2 八畴S-PVA的像素结构
电荷分享(CS)S-PVA像素结构在2007年已提出,是用一根数据线驱动两个子像素。这个方案与对每个子像素分别用一根数据线(1G-2D)驱动的结构相比可以减少数据线,但是在全白场时会损失亮度。
新的电荷分享S-PVA充电技术
新电荷分享像素驱动方案的等效电路示于图3。首先第N门信号(G N)线使子像素A、B的TFT 1、2导通,对其存储电容CSTA、CSTB 与液晶电容CLCA、CLCB 充电。当N+1门信号(G N+1)来时,子像素通过小W/L的TFT 3少量放电,使子像素A、B充上不同的电荷,这是为达到S-PVA八个畴效应所需要的。
图3 新的电荷分享S-PVA 像素结构
用于UD改进型的驱动方法
TFT的接通时间对UD屏非常重要,每条扫描线的充电时间对于FHD屏是14.8ms,而对于UD屏只有7.4ms。此外,由于82英寸屏的门传输线与数据传输线更长,RC延迟更大,使充电情况更为严峻。为此,提出了半门双数据线(hG-2D)结构的驱动方案,以克服充电时间不够。新结构等效电路如图4。
图4 半门双数据线驱动等效电路
新像素排列使每列的R、G、B像素可被两根数据线驱动,使得两行像素能被同时充电,使UD屏具有与1G-2D S-PVA FHD屏相同的充电时间。
为了驱动分辨率四倍于FHD的UD屏,必须采用八路LVDS,它是普通系统界面的四倍。将数据线分为四块,只安放在屏的上边沿,这样成本最低,每块的分辨率为960×2160。第1、第961、第1921和第2881列像素的数据是同时传输的。
用于高分辨率LTPS TFT-LCDs的带自补偿电流负载的二级模拟放大器
当LTPS(低温多晶硅)TFT-LCDs屏变得更大、分辨率更高时,数据线增加,这时需要一个模拟缓冲器,以提供增加的充放电电流。已开发的有比较器型缓冲器、源跟随器型缓冲器和共源型缓冲器,但它们分别具有功耗大、运行电压低和失调电压大的缺点,不适合于移动型、8bils灰度级的LTPS TFT-LCD显示屏。
另一方面,一般模拟缓冲器具有上升和下降过程,用作放电后的充电输出负载功耗大。为了降低功耗,常采用变态AB类模拟缓冲器,但是用LPTS TFTs制成的缓冲器失调电压过大,不适合应用。
为了克服上述困难,必须采用普通运算放大器中常用的自调零技术,用于补偿失调电压。即使假设阈值零散变化为0.5V,用LTPS TFTs制成的典型二级模拟放大器仍不能正常运行。
采用自补偿电流负载,用LTPS TFTs生成的二级模拟缓冲器可以胜任高分辨率LTPS TFT-LCDs所提的要求,其等效电路示于图5中。它由2个电容、4个P型TFT、6个N型TFT和6个开关组成。它们组成N型TFT差分输入对、带2个电容和6个开关的自补偿P型TFT有源负载、用于差分对的电流吸收器、用于补偿的附加电流吸收器和变态AB类输出级。这个2级放大器有三个补偿节点:第一个和第二个补偿点是N型TFT有源负载的自补偿,第三个补偿点是典型的自调零补偿。在全部输出电压范围内这个放大器的最大失调电压只有10mV,有效地解决了LTPS TFT-LCDs对低功耗、大输出电压范围、低失调电压模拟缓冲器的需要。
图5 二级模拟缓冲器等效电路
用于手机的只由LTPS P型TFT生成的的高效交叉耦合DC-DC变换器
在手机中是将像素单元和外部驱动电路(包括门驱动电路、源驱动器、时序控制器和电源控制器)集成在一块玻璃板上,即所谓SoG。所采用的LTPS TFTs可以是CMOS型TFT,也可以是P型TFT。采用P型TFT时光刻工序少,所以成本低。此外P型TFT的热稳定性也优于N型TFT。
在LTPS TFTL的SoG中,集成门驱动器和源驱动器需要很宽的工作电压,它们分别是12V-15V和8V-10V。所以除逻辑电路所需的5V外,还需提供电压较高的附加电源。为了降低成本,需要将这个附加电源与其它电路集成在一起。已有的DC-DC方案,如充电泵,效率太低;CMOS交叉耦合型,效率虽然高于充电泵,但是其组成要使用P型TFT和N型TFT,不能用于只使用P型TFT的集成块中。
图6 只使用P型TFT的DC-DC变换器
(a)正电压变换 (b)负电压变换
只用P型TFT组成的交叉耦合DC-DC变换器的等效电路示于图6。它由8个P型TFTs、2个泵电容、2个耦合电容和1个负载电容组成,能实现高效率低纹波的DC-DC转换。8.8V输出电压下,负载电流可达250mA,效率为79.6%,可以符合手机对低功耗、低成本、尺寸小巧的要求。
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