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基于MCU和基于ASIC的LED可控硅调光方案对比与解析
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作为一种新的、最有潜力的光源,LED照明以其节能、环保的优势越来越受到人们重视。加上国家和地方政府的政策鼓励,我国的LED照明产业进入了加速发展阶段,运用市场迅速增长。在室内照明方面,用LED灯替代传统的可调光白炽灯或者卤素灯也将是大势所趋。由于传统的白炽灯调光器采用可控硅调光器,用LED灯替代白炽灯时,要求不能改变原有线路,还要能适应现有的可控硅调光器。针对这一目标市场,目前很多大的半导体厂商(包括国际知名半导体厂商)都已经推出了自己的LED调光ASIC,但由于LED固有的发光原理,目前市面上的LED ASIC调光案都还不是很成熟,都有其固有的问题,本文就将针对目前的调光方案做一个详细的分析,并介绍我们基于MCU的调光方案。
1 LED的发光特性
目前的新技术使LED能够达到很高的功率水平,LED的功率能够达到1W,甚至有些达到5W,光效达到60-85LM/W,这种LED设备称为高亮LED(HB-LED)。目前我们用在照明上LED都是HB-LED,一般都是选择1W的LED通过串并联的方式组成大功率LED灯,尤其以串联为主。这种LED的VF为3.4V±2%,正向电流IF为350mA左右。其VF -IF曲线如图1.1所示。
1 LED的发光特性
目前的新技术使LED能够达到很高的功率水平,LED的功率能够达到1W,甚至有些达到5W,光效达到60-85LM/W,这种LED设备称为高亮LED(HB-LED)。目前我们用在照明上LED都是HB-LED,一般都是选择1W的LED通过串并联的方式组成大功率LED灯,尤其以串联为主。这种LED的VF为3.4V±2%,正向电流IF为350mA左右。其VF -IF曲线如图1.1所示。
图1.1 LED VF -IF曲线 从图1中可以看出,当加在LED两端的电压没有达到3.4V之前,VF随着的增加而增加。当加在LED两端的电压达到3.4V时,VF的变化很小,增加LED两端的电压只会增加流过LED的电流,从而改变LED的亮度,直到增加到LED的最大IF (350MA),LED达到最大亮度。而VF一直被箝位在Vfmx (3.4V)左右。并且Vfmx会随着温度和LED工作时间的变化而变化,变化曲线如图1.2所示。
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