电源设计经典案例集锦(TI内部培训资料)

电源设计经典案例集锦是TI（德州仪器）公司针对电源设计全面、系统、权威的内部培训资料，旨在通过从原理到应用全面、系统的讲解电源设计方面的知识，从而帮助电源设计工程师尽快入门并精通，相信对电源设计的工程师会非常有帮助。

电源设计经典案例集锦1：为您的电源选择正确的工作频率
为电源选择最佳的工作频率是一个复杂的权衡过程，其中包括尺寸、效率以及成本。通常来说，低频率设计往往是最为高效的，但是其尺寸最大且成本也最高。虽然调高频率可以缩小尺寸并降低成本，但会增加电路损耗。该《电源设计经典案例集锦》将使用一款简单的降压电源来描述这些权衡过程。

电源设计经典案例集锦2：小心别被电感磁芯损耗烫伤
您是否有过为降压稳压器充电、进行满功率测试，随后在进行电感指端温度测试时留下了永久（烫伤）印记的经历呢？或许过高的磁芯损耗和交流绕组损耗就是罪魁祸首。在 100-kHz 开关频率下，一般不会出现任何问题，这是因为磁芯损耗约占总电感损耗的5% 到10%。因此，相应的温升才是问题所在，跟随本《电源设计经典案例集锦》去挖掘吧！

电源设计经典案例集锦3：低成本、高性能LED驱动器
随着 LED 生产成本的下降，LED 在各种应用中的使用率越来越高，其中包括手持设备、车载以及建筑照明。其高可靠性（使用寿命超过 50000 小时）、高效率（175 流明/瓦）以及近乎瞬时的响应使其成为一种颇具吸引力的光源。但是，驱动 LED 却是一项很具挑战性的工作。本《电源设计经典案例集锦》带你一起去领略一下低成本、高性能的LED驱动器的设计以及不同的调光策略哦

电源设计经典案例集锦 4：改善负载瞬态响应—第2部分
这篇《电源设计经典案例集锦》介绍如何使用TL431分路稳压器关闭隔离电源的反馈环路，但是本文着重讨论了一种扩展电源控制环路带宽以改善瞬态负载及线路响应的方法。您可能必须要参考原文来继续这一讨论哦。

电源设计经典案例集锦 5：高频导体的电流分布
随着频率增加，导体的电流分布会急剧变化。在自由空间中，相比扁平导体， 圆形导体在高频下电阻更低。但是，同接地层一起使用时，或者其位于携带返回电流的导体附近时，扁平导体则更佳。本《电源设计经典案例集锦》就将研究自由空间及缠绕结构中导体的有效电阻！

电源设计经典案例集锦6：估算热插拔MOSFET的瞬态温升（1部分）

热插拔电路用于将电容输入设备插入通电的电压总线时限制浪涌电流。这样做的目的是防止总线电压下降以及连接设备运行中断。通过使用一个串联组件逐渐延长新连接电容负载的充电时间，热插拔器件可以完成这项工作。结果，该串联组件具有巨大的损耗，并在充电事件发生期间产生温升。大多数热插拔设备的制造厂商都建议您查阅安全工作区域 (SOA) 曲线，以便设备免受过应力损害。而本《电源设计经典案例集锦》就将带您一起分析、研究一种估算热插拔 MOSFET温升的简单方法。

电源设计经典案例集锦6：估算热插拔MOSFET的瞬态温升（2部分）
本《电源设计经典案例集锦》继续第一部分的讨论内容，并最终对一种估算热插拔 MOSFET 温升的简单方法进行研究。上一贴士我们讨论了如何设计温升问题的电路类似方法。我们把热源建模成了电流源。根据系统组件的物理属性，计算得到热阻和热容。遍及整个网络的各种电压代表各个温度。

电源设计经典案例集锦7：设计低压降压 IC 让简捷、经济的偏置电源成为现实
在本《电源设计经典案例集锦》中，我们将研究一款可将高AC输入电压转换为可用于电子能量计等应用的低DC电压简单电路。在这种特殊的应用中，无需将输出电压隔离于输入电压。此处，经过整流的 AC 输入电压可高达 375 VDC，同时数百毫安电流时的输出电压可在 5 伏以内。这些大容量应用通常受到成本的推动，因此要求低部件数量/低成本的电路。步降稳压器提供了一种低成本的解决方案，但在使用高电压输入实施时却充满挑战。

电源设计经典案例集锦8：同步降压MOSFET电阻比的正确选择
在这篇《电源设计经典案例集锦》中，我们将研究在同步降压功率级中如何对传导功耗进行折中处理，而其与占空比和 FET 电阻比有关。进行这种折中处理可得到一个用于 FET 选择的非常有用的起始点。通常，作为设计过程的一个组成部分，您会有一套包括了输入电压范围和期望输出电压的规范，并且需要选择一些 FET。另外，如果您是一名 IC 设计人员，则您还会有一定的预算，其规定了FET成本或者封装尺寸。这两种输入会帮助您选择总 MOSFET 芯片面积。之后，这些输入可用于对各个 FET 面积进行效率方面的优化。

电源设计经典案例集锦9：注意 SEPIC 耦合电感回路电流（1 部分）
在这篇《电源设计经典案例集锦》中，我们将确定SEPIC拓扑中耦合电感的一些漏电感要求。在不要求主级电路和次级电路之间电气隔离且输入电压高于或者低于输出电压时，SEPIC 是一种非常有用的拓扑。在要求短路电路保护时，我们可以使用它来代替升压转换器。SEPIC 转换器的特点是单开关工作和连续输入电流，从而带来较低的电磁干扰 (EMI)。

电源设计经典案例集锦9： 注意SEPIC耦合电感回路电流（2部分）
在这篇《电源设计经典案例集锦》中，我们继续第一部分的讨论，即如何确定 SEPIC 拓扑中耦合电感的漏电感要求。前面，我们讨论了耦合电容器AC电压被施加于耦合电感漏电感的情况。漏电感电压会在电源中引起较大的回路电流。在第2部分中，我们将介绍利用松散耦合电感和紧密耦合电感所构建电源的一些测量结果。

电源设计经典案例集锦10：使用高压LED提高灯泡效率
使用LED作为光源的灯泡来替代螺纹旋入式白炽灯泡有很多好处。一般而言，我们将小号（5-9）的LED 串联起来，使用一个电源将线电压转换为低电压（通常为数十伏），这时的电流约为350到700mA。在确定如何最好地让用户同线电压隔离的过程中，我们需要深思熟虑、权衡利弊。我们可以在电源中实现隔离，也可以在 LED 安装过程中进行这种隔离。在一些低功耗设计中，LED 物理隔离是一种常用方法，因为它允许使用成本更低的非隔离式电源。

电源设计经典案例集锦11：折中选择输入电容纹波电流的线压范围
您在为一个低功耗、离线电源选择输入滤波电容时，会出现一种有趣的权衡过程。您要折中地选取电容的纹波电流额定值，以适合电源工作所需的电压范围。通过增加输入电容，您可以获得更多纹波电流的同时还可以通过降低输入电容的压降来缩小电源的工作输入电压范围。这样做会影响电源的变压器匝数比以及各种电压及电流应力。电容纹波电流额定值越大，应力越小，电源效率也就越高。

电源设计经典案例集锦12：使用简易锁存电路保护电源
您曾经是否需要过一款简单、低成本的锁存电路？本《电源设计经典案例集锦》就会给出这样一款电路，它只需几元钱的组件便可以提供电源故障保护，基本上是一个可控硅整流器 (SCR)，结合了一些离散组件哦。这种电路的一个有趣特性是，您可以通过选择电阻器值建立SCR的保持电流。为了让锁存电路在触发以后仍然保持开启，两个基极发射极结点必须要有足够的电压（~0.7 V）让其保持开启状态。这就意味着，如果向它提供的电流为 Vbe / R1 + Vbe / R2 以上，则电路锁存。如果锁存电路连接一个小电流的电容器，则锁存电路对该电容器放电。一旦电路的电流减少至保持电流以下，它便关闭了。

电源设计经典案例集锦13：同步整流带来的不仅仅是高效率
您是否曾经要求设计过一种轻负载状态下具有良好负载瞬态响应的电源呢？如果是，并且您还允许电源非连续，那么您可能会发现控制环路的增益在轻负载状态下急剧下降。这会导致较差的瞬态响应，并且需要大量的输出滤波电容器。一种更简单的方法是让电源在所有负载状态下都为连续。

电源设计经典案例集锦14：DDR内存电源
CMOS逻辑系统的功耗主要与时钟频率、系统内各栅极的输入电容以及电源电压有关。器件形体尺寸减小后，电源电压也随之降低，从而在栅极层大大降低功耗。这种低电压器件拥有更低的功耗和更高的运行速度，允许系统时钟频率升高至千兆赫兹级别。在这些高时钟频率下，阻抗控制、正确的总线终止和最小交叉耦合，带来高保真度的时钟信号。传统上，逻辑系统仅对一个时钟沿的数据计时，而双倍数据速率 (DDR) 内存同时对时钟的前沿和下降沿计时。它使数据通过速度翻了一倍，且系统功耗增加极少。

电源设计经典案例集锦15：可替代集成MOSFET的分立器件
在电源设计中，工程师通常会面临控制 IC 驱动电流不足的问题，或者面临由于栅极驱动损耗导致控制IC功耗过大的问题。为缓解这一问题，工程师通常会采用外部驱动器。半导体厂商（包括TI在内）拥有现成的 MOSFET 集成电路驱动器解决方案，但这通常不是成本最低的解决方案。通常会选择价值几美分的分立器件，本《电源设计经典案例集锦》就将为您介绍一下可替代集成MOSFET的分立器件。

电源设计经典案例集锦16：分立器件—一款可替代集成MOSFET驱动器的卓越解决方案
在《电源设计经典案例集锦15》中，我们讨论了MOSFET 栅极驱动电路中使用的发射器跟踪器，并且了解到利用小型SOT-23 晶体管便可以实现2A范围的驱动电流。在本设计小贴士中，我们来了解一下自驱动同整流器并探讨何时需要分立驱动器来保护同步整流器栅极免受过高电压带来的损坏。

电源设计经典案例集锦17：正确地同步降压FET时序
由于工程师们都在竭尽所能地获得其电源的最高效率，时序优化正变得越来越重要。在开关期间，存在两个过渡阶段：低压侧开关开启和高压侧开关开启。低压侧开启开关至关重要，因为该过渡阶段几乎没有损耗，也即"无损开启"。在高压侧开关关闭以后，电感电流驱动开关节点电压无损接地。开启低压侧开关的最佳时机便为过渡结束时。如果在低压侧开启以前主体二极管短暂导电，则其无关紧要，因为它不会导致反向恢复损耗。在下一个开关过渡之前，该结点处的过剩载流全部耗散。但是，如果电流仍然长时间存在于主体二极管内，则会有过高的传导损耗。高压侧 FET 开启时序是最为重要的过渡。由于同低压侧FET存在交叉导通，因此开启过早会导致直通损耗；开启过晚又会导致传导损耗增高，并且会将过剩载流注入低压侧FET主体二极管内（必须对其进行恢复）。不管哪种情况，都会降低效率。

电源设计经典案例集锦18：非隔离式电源的共模电流
非隔离式电源的共模电流可能成为一个电磁干扰 (EMI) 源，您是否曾经消除过它呢？在一些高压电源中，例如：LED 灯泡所使用的电源，您可能会发现您无法消除它们。经仔细查看，发现非隔离式电源与隔离式电源其实并没有什么两样。本《电源设计经典案例集锦》就带你一起去挖掘一下非隔离式电源的共模电流问题。

电源设计经典案例集锦19：解决隔离式开关的传导性共模辐射问题
在《电源设计经典案例集锦18：非隔离式电源的共模电流》中，我们讨论了开关级中大电压摆动如何形成共模电流的问题，并介绍了它驱动电流进入电容到机架接地的过程。在这篇《电源设计经典案例集锦》中，我们将继续讨论共模电流的问题