在仿真功率MOS管时引发的思考

　　在实际产品中经常用功率MOS管来做电源的开关，用来关闭电路的某一部分，从而减少能量的消耗。
　　电路如下：
　　


　　在这里EN的电压为5V或是0V,在没有看仿真结果以前我想当然的认为，结果应该是EN = 0V ,Vout = oV;EN = 5V,Vout = 5V;
　　可是仿真结果让我大吃一惊奇，结果是：
　　EN = 0V ,Vout = 5V;EN = 5V,Vout = 4.96V;
　　这样的结果让我百思不得其解，而且这样的电路在产品中应用了很多，一个问题也没有，理论上也没有问题，可是为什么仿真的结果会是这个样子。想了好几天，也和朋友讨论了很多次，可是还是没有得到正确的答案。直到我想到了一个问题，然后在电路后面加了一个5 Ohm的负载。加了负载后的结果是。
　　EN = 0V ,Vout = oV;EN = 5V,Vout = 4.96V;
　　和理论相符合。
　　


　　为什么加了一个5 Ohm的电阻后会有这样的变化呢 请看下图我从IRF7404规格书中截取的一小部分。
　　


　　对，是漏电流搞的鬼，虽然漏电流很小，但电压表的阻抗很大，结果就让在没带负载的情况下让电压显示为5V.
　　因此实际仿真中,需要接上一个电阻测电压,不能直接将地和引脚相连测电压.