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一种无采样电阻的功率器件保护方法
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MOSFET或IGBT保护方法有很多，有专门带保护的驱动电路，也有用康铜丝做电流采样的保护电路。专门带保护的驱动电路一般成本较高，用康铜丝做电流采样+比较器容易产生振荡。下面介绍一种无采样电阻的方法。
下面介绍一种无采样电阻的方法：
上图中，Q1是功率管MOSFET或IGBT，R1是负载，D1是采样二极管，R2是上拉电阻。在Q1导通时D1的K极电压就是Q1压降，D1的A极电压在其基础上高了D1压降(Q1压降+D1压降)。D1压降是恒定值，当过载时Q1压降增大，从而ADC采样值增大，大到一定程度时就可以认为是过载，用程序判断之。电路中D1的作用是防止Q1判断时VPOWER流入ADC引脚烧毁MCU。
该方法成本低，是一种行之有效的方法。
下面介绍一种无采样电阻的方法：
上图中，Q1是功率管MOSFET或IGBT，R1是负载，D1是采样二极管，R2是上拉电阻。在Q1导通时D1的K极电压就是Q1压降，D1的A极电压在其基础上高了D1压降(Q1压降+D1压降)。D1压降是恒定值，当过载时Q1压降增大，从而ADC采样值增大，大到一定程度时就可以认为是过载，用程序判断之。电路中D1的作用是防止Q1判断时VPOWER流入ADC引脚烧毁MCU。
该方法成本低，是一种行之有效的方法。
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