0.25微米嵌入式非易挥发性闪存技术

     0.25微米嵌入式非易挥发性闪存技术(简称“EF250产品技术”)平台是在华虹NEC0.25微米CMOS标准工艺技术基础上，嵌入了领先的非易挥发性闪存技术的特殊工艺制造平台。
    该平台能支持2.7V～5.5V宽电压工作范围，扩大了IC产品的使用范围，在不增加产品制造成本的前提下，具有领先的抗静电干扰能力，HBM（人体模式）达到8kV以上，电子枪模式达到6kV以上。嵌入式闪存技术在集成电路产品进入SoC的年代，为片上软件提供了大容量可重复编程的程序存储空间。该平台拥有丰富的经过流片验证的各类核心IP资料库，客户可以随意组合而形成各种IC产品的IP整体解决方案。
    SIM（用户识别模块）卡产品在EF250产品技术平台上的成功应用就是一个典范。在SIM卡产品领域，华虹NEC率先采用闪存技术替代原来的EEPROM（电可擦写可编程只读 存储器）技术，不仅解决了数据存储的次数技术难题，而且将数据的保存性能提高到远超过EEPROM的技术水平，从而使SIM卡的储存容量从原来的8K字节增加到现在的256K字节，与此同时促使SIM卡产品的制造成本从原来的50元左右大幅降低到现在的3元～4元水平，不仅突破了国外产品的长期垄断，而且还占据了国内市场的最大份额。此外，基于EF250开发平台，TPM(可信赖平台模块)类安全芯片产品则在除采用大容量闪存IP外，还集成了华虹NEC开发的各类模拟IP，在国内首次开发成功，打破了该产品的国外垄断，为国内PC的信息安全提供了技术保障。

·点评

    0.25微米CMOS技术拥有较高的性价比，同时嵌入的闪存技术，又为SoC产品提供了廉价而且容量足够大的程序存储空间，满足目前电子产品越来越短的升级周期和个性化灵活配置需求，因而拥有巨大的市场应用空间。

0.162微米CMOS工艺技术

    该工艺将主要用于制造MP3播放器控制芯片、闪存控制器芯片、数字电视调制解调芯片，目标市场为中国的数字电视一体机、MP3播放器、闪存控制器等数字消费电子产品。
    和舰科技0.162微米CMOS工艺技术是基于0.18微米逻辑平台，其创新特色主要包括：对现有的0.18微米的量产产品，客户不需要做任何的设计变更，可以经由和舰的资料处理后，直接出带，制作光掩模板；节省客户的研究设计资源，并缩短开发时间，可尽早量产，满足市场需求；整片晶圆的产出晶粒可增加大约25%，并且良率比0.18微米还高，晶粒单位成本可大幅度降低；可利用现有0.18微米的生产线，并不需额外新购机器设备。
    基于市场强大需求，积极开发0.162微米硅片制造工艺技术将可为设计公司提供可靠的技术支持。目前和舰科技已经完成0.162微米硅片制造工艺的开发，将可以提高国内设计公司芯片的市场竞争力；并且未来还将持续开发0.153微米工艺，提升客户产品的竞争力。

·点评

    随着芯片线宽的不断缩小，对CMOS工艺技术要求也日益提高，因此建立一个技术先进的集成电路制造工艺技术平台是非常重要的。和舰科技自行研发的0.162微米硅片制造工艺技术可以提供更具有技术和价格竞争力的产品，大大缩短产品量产时间，并具有低成本及高效能的特性。

大功率MOS场效应晶体管模块工艺

    大功率MOS场效应晶体管模块工艺是在6英寸生产线的工艺基础上，依靠华虹8英寸生产线所具备的先进设备，开发出的一套新型电源管理加工工艺平台。该技术具备线宽高精细、管芯高集成度的特征，功耗降低到现有材料之极限，可靠性可符合汽车电子行业标准。
    6英寸生产线多为0.5微米工艺平台，无法实现当今一些新型高性能器件的设计要求。华虹NEC在2001年吸收了6英寸0.5微米加工工艺，并移植到该公司8英寸0.35微米工艺，到2005年该技术已经提供了月产5亿管芯的巨大加工平台。而本创新技术是在之前移植工艺的基础上，开发了适合大功率电源管理模块加工的0.25微米工艺，提供更有市场竞争力的工艺平台。
    线宽的缩小意味着同样面积可得到更多的管芯，本技术充分利用华虹所具备的0.13微米CMOS加工设备，通过对工艺的精确控制使器件等比例缩小达到类似CMOS0.13微米工艺的程度。
    在原材料方面，华虹NEC与全球前三大硅材料供应商都有密切的合作开发项目，可提供低阻、高耐压且不降低生产性的解决方案；在加工工艺上华虹NEC优化光刻、腐蚀等工艺，使器件沟道电阻降低20%；在加工耗材上，成功引进并优化了硅化钴工艺、钛金蒸镀工艺，大大降低了产品的接触电阻。
    华虹NEC在2007年以其稳定的工艺管控、良好设备维护团队、成熟的工艺开发经验顺利通过了TS16949(汽车质量管理体系)认证，成为为数不多的可为汽车电子类产品提供工艺平台的企业。这也意味着华虹NEC的电源管理模块工艺的可靠性已为各领域所认可。

·点评

    该技术是基于8英寸生产线先进设备，0.25微米技术的大功率MOS场效应晶体管模块工艺。主要为新型电源管理单元提供高精细、高可靠性、低成本的设计实现平台，从而使大功率电源管理模块具备高性能、低功耗的优点，使产品在国际市场上具备良好的竞争力。该技术极好地符合了全球能源需求的不断增长以及环境保护意识逐步提升的发展趋势。