光耦电路中常常被人忽视的6个关键参数

光耦设计在电路中的主要作用，是对光能与电能进行隔离，从而达到防止干扰保护电路运行状态额目的。但是在对光耦电路进行设计之前，首先需要了解一些基础的且较为重要的知识点，否则在设计过程中就有可能造成不必要的错误，达不到保护电路的目的。

光电耦合器的优势有目共睹，其体积小、寿命长、无触点，抗干扰能力强，输出和输入之间绝缘，单向传输信号表现优异，在数字电路上也有广泛的应用。而在光耦电路设计中，有两个参数常常被人忽视，需要格外注意。

反向电压

反向电压Vr，是指原边发光二极管所能承受的最大反向电压，超过此反向电压，可能会损坏LED。而一般光耦中，这个参数只有5V左右，在存在反压或振荡的条件下使用时，要特别注意不要超过反向电压。如，在使用交流脉冲驱动LED时，需要增加保护电路。

电流传输比

另外一个参数是光耦的电流传输比，是指在直流工作条件下，光耦的输出电流与输入电流之间的比值。光耦的CTR类似于三极管的电流放大倍数，是光耦的一个极为重要的参数，它取决于光耦的输入电流和输出电流值及电耦的电源电压值，这几个参数共同决定了光耦工作在放大状态还是开关状态，其计算方法与三极管工作状态计算方法类似。若输入电流、输出电流、电流传输比设计搭配不合理，可能导致电路不能工作在预想的工作状态。

除上述两个参数外，光耦还有几个参数是比较重要的，如：

正向工作电压Vf

Vf是指在给定的工作电流下，LED本身的压降。常见的小功率LED通常以If=10mA来测试正向工作电压，当然不同的LED，测试条件和测试结果也会不一样。

集电极电流Ic

光敏三极管集电极所流过的电流，通常表示其最大值。

C-E饱和电压Vce
即光敏三极管的集电极-发射极饱和压降。

上升时间Tr与下降时间Tf

其定义与典型测试方法如图2所示，它们反映了工作在开关状态的光耦，其开关速度情况。

以上6个参数是在光耦电路中较为重要，但也是经常被PCB设计者们所忽略的关键点。在接触光耦设计之前对这几个参数进行一定程度上的了解，能够最大程度的避免光耦电路设计错误情况的发生。与此同时，在光耦电路发生错误的时候也可先从这些参数入手，看看是否是关键参数出了问题。