原理 设计checklist(SIM/SC6600D)

项次

内容

                        原则

1

解耦电容

SIM IO是否有多余的解耦电容

2

SIM PE在B芯片不能作为SIM卡电源使用。C版本以后芯片可以。

3

B芯片必须使用lever shift芯片，保证通过FTA

4

SIM HOLDER必须使用带屏蔽功能的卡座，否则有些SIM卡容易出现错误

项次

内容

                        原则

1

预充电电流问题

由于我们的UVLO存在一定问题，电池电压在上下限上升过缓慢会导致芯片不正常工作，所以需要使预充电电流大一些，使电压尽快上升到恒流充电（SC6600D内部预充电电流250mA左右）

2

恒流充电电流问题

在恒流充电阶段，如果充电电流大于600mA，则芯片VDRV pin上会输出周期性的振荡波形，直接导致充电电流周期变化，周期约为5.5uS，从而在Vprog上的电压波形有周期振荡，在此阶段，软件监测Vrpog上的电压值，没有实际意义。软件监测可在恒压阶段开始

3

RTC供电电压

SC6600D芯片有内部RTCLDO，但是POWER DOWN 时会跌落并导致从新RESET，所以需要外部对RTCVDD供电，并最好使外部的RTCVDD供电电压为一稳定值并小于内部RTCLDO（1.8v)，使用RTCVDD由内部稳定的LDO供电减少电池电压变化带来的频率变化。

4

VDDCore倒灌

在设计中，应避免Power Down时在VDD上的倒灌，否则由于VDD和RTCVDD之间的Leakage电流通道，会下拉RTCVDD电压，严重时芯片将无法开机

5

LDO选择

选用芯片内部LDO给外部器件供电时,优先选用VRF,VSIM,VMEM,VLCM,一定要用别的LDO时,要留足裕量

6

VDDIO,VMEM档位选择

是否考虑了UART pin对其它pin倒灌产生的不良影响 注:在双CPU应用情况下,SC6600D芯片关机后其它CPU会给SC6600D芯片UART pin上有3V电压,对VDDIO,VMEM有倒灌,如VDDIO,VMEM选用1.8V,倒灌电压会达2.4V

7

LDO档位选择

是否考虑了LDO档位选择造成的不利影响 有时系统为了省电,会在一定的状态下降低LDO电压,如进入DEEP SLEEP后,软件会将VDD由1.8V降为1.5V,如果VDDCORE上有1.8V的外接器件,此时该器件将有可能不能工作

8

RESET期间IO口的电平状态

RESET期间IO口的电平状态对控制端口的影响，如导致闪光灯开机瞬间亮的问题

9

芯片IO的驱动能力

注意元器件要求的驱动电流,芯片IO的驱动能力一般分四级,Default值最小,如元器件要求的驱动电流在Default值以内,则直接可用,如元器件要求的驱动电流大于Default值而小于最大值,则需提前通知SW注意,如大于最大值,则需另加驱动电路,实际测量SC6600D芯片在Default电压下的四级驱动能力为2mA,6mA,12mA,20mA