IC构装技术

IC构装技术是电子产业中重要的一环。电子构装主要的功用在于保护、支撑、专线与制造出散热途径，并提供零件一个模块化与规格标准。

（一） 最新发展技术

SiP(System in Package)与MCM(Multi-chip Module)定义相仿。SiP指将组件系统封装，可以包含chip或是RCL被动组件，甚或是其它模块，也可以组合不同技术，如PiP(Package in Package)、PoP(Package on Package)，Stack等，不同接合技术如Wire bonding、Flip Chip、Hybrid-type等，定义甚广。MCM则着重于多芯片共同封装，主要是相对于以往BGA到Flip Chip BGA式的单芯片封装。此外，Embedded(内埋)技术是一个重要的技术发展，在embedded组件上可以embedded active(IC)与embedded passive(主要是RCL被动组件)。目前以内埋RCL被动组件技术较成熟，而制程可以分为两类：将RCL组件直接SMD到基板上再覆膜的bared技术，与无组件使用(用材料方式替代RCL)的embedded技术。由于SiP技术发展多年，由目前封装技术转移可行性较高，且可以大幅缩小体积与提高讯号可靠度，因此将大量使用在Handset产品上，且量产线建立后，很快进一步扩散到其它产品。

（二） 传统技术

BGA产品在1990年代研发出来，BGA架构相较于传统构装，其优点为散热性与电性好、接脚数可以大量增加。BGA封装已衍生出不同的产品型态，如CBGA (Ceramic BGA)、PBGA(PlasticBGA)、TBGA(Tape BGA)等。其中PBGA 采用树脂基材，价格低且耐热性好，容易成为IC采用的载板。

随着I/O数量增加、积体化线路间距缩小，要想在BGA基板上高效率地布置走线变得困难，覆晶(Flip Chip)技术为未来载板发展的主流趋势。芯片所要求的电气特性愈好，体积愈小，但I/O埠的数目却是往上提高，在点18制程(线宽0.18μm)或是高速(如800MHz以上)的IC设计上，有大幅增加I/O密度的趋势，覆晶(Flip Chip)技术是可以解决此问题的构装方式之一，其具有高I/O和优良电性。覆晶载板是2006年后各载板厂争相投资产品项目，而下游产品除PC中CPU、GPU、北桥芯片等对覆晶载板的采用率已达一定水平，未来覆晶载板成长动力将来自于PC中的南桥芯片、高频通讯芯片、游戏机CPU/GPU芯片封装。此外，除覆晶技术的需求外，下游产品系统整合化的要求将日趋明显，因此多芯片模块制程对MCM载板的需求亦将大幅提高，可望与覆晶载板一同成为市场的成长潜力产品，需求量将会逐年上升。

CSP(Chip Scale Packaging，芯片级尺寸封装)技术可分为：Lead Frame、Flexible Interposer、Rigid Interposer、Wafer-Level Processed CSP等四大类别。应用于内存产品及高频低脚数的电子产品。