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原理 设计checklist(RF/RTC)
五. RF
项次 | 内容 | 原则 |
1 | SPEC | (1)所有RF器件应按照其spec要求设计。 |
2 | 原理图 | (2)采用原有射频原理图设计,尽量不要变动成熟设计。 |
(3)和BB接口尽可能保持和原有设计一样。 | ||
3 | 滤波 | (1)相关Vramp和I/Q信号质量的基带芯片PIN AVDDAUX、AVDDBB是否有足够大的滤波电容,以及纹波是否够小 |
(2)PA的滤波电容要尽量大如33UF(10UF太小) |
六.RTC
项次 | 内容 | 原则 |
1 | 初始充电 | 设计是否考虑在后备电池电压低于0.6V时,接上VBAT后能否即刻开机 |
2 | 充电电流 | 设计是否考虑在后备电池电压低于0.6V时,接上VBAT后充电电流是否超过100uA |
3 | RTC供电电压 | 设计是否考虑RTC供电电压是否在要求范围(1.5V-2.1V)内(使用VBAT和单独使用备用电池) |
最好使RTCVDD供电电压为一稳定值。不随VBAT而变化。可以避免电压变化带来的频率变化 | ||
4 | 充电时间 | 初次使用过程中,备用电池充电所需最少时间(换VBAT时信息不会丢失)及电池充满所需最少时间 |
5 | 兼容性 | 设计RTC时,是否考虑了在手机进入SLEEP状态由于阻抗跳变导致的电压Drop?应该RTC供电电压Drop后高于1.5V |
6 | 197KH问题 | Cg和Cd的组合调整满足频率时,可使Cd比Cg大,Rd要大于100K(如220K),Rf可以用10Mohms的,这样可以加强对197KHZ的抑制 |
7 | 频率矫正 | 通过Cg和Cd的调整满足频率时,应该使调整后的频率比32.768khz快几个PPM,可以补偿由于温度引起的频率下偏 |
8 | 晶体参数的选择 | 在芯片的驱动能力允许的情况下,尽量选用CL值大的(如12.5pf)的晶体,它对外部的电容的变化引起的频率变化灵敏度较低,减小电容误差、PCB杂散电容及芯片不一致性的影响 |
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