减少铜厚度的精度控制方法

      好的工艺过程的结果适应高密度互连结构,取决于薄铜工艺对其影响程度,首先有赖于是多工序程序的设计。采用差蚀工艺的可靠性和蚀刻液的均匀分布的所起到的作用,特别关键的部位是在PCB电路基板的顶部。
　　蚀刻过程中,蚀刻溶液流动的离开速度,印制电路板的中心部位要比基板的边缘来的慢,通常所知的就是“水坑效应”在基板的顶部发生影响干扰蚀刻的均匀性。这种类型的效果的减少,近几在努力改善湿处理生产线喷淋系统。有可能实现更精确的控制蚀刻工艺。如通过Gebr研发蚀刻系数 ,而Schmid的结构特点就是选择利用喷咀进行控制。在这样的系统中,并且安装喷淋管(杆)减少喷咀的数量,在蚀刻装置内直接通过喷淋管系统进行蚀刻。装置内的每根喷淋管(杆)通过分离隔膜阀门进行开关。这种类型的阀门控制基板通过喷淋管(杆)的蚀刻液蚀刻过程中控制铜的厚度标准。间歇蚀刻是周其性成功的在安装后达到薄铜均匀性的技术要求。
　　使用Cuc12蚀刻溶液能精确的减少铜厚度:
　　高速氯化铜蚀刻溶液,约定2。5秒蚀刻铜厚度为1微米。蚀刻液对基板的浸蚀小,控制比较简单。但还要考虑更昂贵,通常采用差蚀工艺方法。因此,通过较低的温度,减少盐酸的含量和间歇辅助喷淋工艺方法,它的蚀刻速率类似所使用的酸性氯化铜蚀刻系统能达到的慢的蚀刻速率效果。但特别要求必须进用试验方法,系统采用的25微米厚铜层的基板从12微米到3微米,蚀刻精度达到±0。6微米,CpK值为1。0。差蚀法蚀刻后蚀刻的均匀分布采用辅助基板在测量桌上进行测量,测量的精度和重复精度预先进行校验和鉴定。证实分离测试系列。铜层厚度减少后,对所测试的基板的顶部的底部1250测量点。进行评估,其公差带达到3微米±0。4微米。因此,采用此种类型的工艺装备和工艺方法,要所有的方面都达到技术要求。
　　再生系统的控制:
　　有利的结果的达到是建立于测试,也就是归功于蚀刻溶液的精确的再生。薄铜生产线的工艺装备进采用完全自动配料系统,它是通过比电导,氧化还原电位和比重进行控制。配料能精确度比常规再生控制增加30%。并通过蚀刻槽数字式比重测量其消耗量可以减少。比例的控制的精度的确定与配料的时间,到泵的运转时间和停机时间有关。有机的进行匹配,就能可靠的控制蚀刻速率。
　　总之,对于蚀刻超精细导线和采用差蚀工艺方法,所有的工艺方法比较多是有差异的,因此必须首先完成选择合适的最隹的蚀刻系统。安装喷咀要选择最隹的喷咀角度,以及控制蚀刻液关闭限度。最后就是蚀刻机的动输系统的选择,并能成功地确定蚀刻工艺的蚀刻因字(因数)。要求制造的印制电路板和所采用的工艺装备比常规使用的更精确。