Genesis2000内层正片制作教程

拍位校正： DFM→Repair→Pad Sanpping

打开电路板影响层，在DFM→Repair→Pad Sanpping（拍位校正），点击后出现Action Screea窗口，在Erf中选Affected Layers（Microns）（影响层），在Layer中保留Affected Layers 不用修改。在Re-Layer（参考层）中选drl（钻带）层，Snapping  Max（校正间距）为127（最大值）my。运行即可，大于127的需要手工移动，再自动校正一次，检查时，若和检查重孔类似的小拍为叠在大拍位，可删可不删。

内层负片：

层中有花焊盘的，那层就是负片。

定属性为Power_Ground，Negative负性

在清除板外物体时候，负片层的外形线不能清除，层外若有不要的内容则手工删除。

负片要求：

隔离拍要比孔单边大0.2mm以上

花焊盘到孔要0.15mm以上

花焊盘开口数量要两个以上，开口大小要0.2mm以上

花焊盘的宽度要0.2mm以上

隔离线的线粗要在0.25mm以上

外形掏铜用0.8~1.0的线

没有线路的负片不需要补偿

优化负片：DFM→Optimizations→Power Ground Opt

在DFM→Optimizations→Power Ground Opt优化负片，在对话框中：ERF栏为内层

Layer（执行层）：默认内层的所有负片

Via Clearance（过孔隔离拍）Min(最小)：250，Opt（最佳）：250

Via Ar（过孔花焊盘）Min(最小)：250，Opt（最佳）：250

Via Thermal Airgop（过孔花焊盘宽度）Min(最小)：250，Opt（最佳）：250

Via Nfp Spacing（过孔花焊盘开口）Min(最小)：250，Opt（最佳）：250

Pth Clearance（插件孔隔离拍）Min(最小)：250，Opt（最佳）：250

Pth Ar（插件孔花焊盘）Min(最小)：250，Opt（最佳）：250

Pth Thermal Airgop（插件孔花焊盘宽度）Min(最小)：250，Opt（最佳）：250

Pth Nfp Spacing（插件孔花焊盘开口）Min(最小)：250，Opt（最佳）：250

Npth Clearance（无铜孔隔离拍）Min(最小)：250，Opt（最佳）：250

Thermal Min Ties（花焊盘的最小连接）：此项不改

点击运行即可，有问题须查看报告：

Via AirGap Not Modified

Via AirGap Modified

Via Spacing Not Modified

Via Spacing Modified

Via AR Not Modified

Via AR Partially Modified

Via AR Modified

Via Clr Not Modified

Via Clr Partially Modified

Via Clr Modified

PTH AirGap Not Modified

PTH AirGap Modified

PTH Spacing Not Modified

PTH Spacing Modified

PTH AR Not Modified

PTH AR Partially Modified

PTH AR Modified

PTH Clr Not Modified

PTH Clr Partially Modified

PTH Clr Modified

NPTH Clr Not Modified

NPTH Clr Partially Modified

NPTH Clr Modified

NPTH Pad Is Not Clearance

Unsupported Drilled Shape

Pad Misregistration

Build Donut

如有未涨大的花焊盘，选择E dit→Resiz e→Thermals and donuts(更改花焊盘)手工涨大。如果是隔离拍不够，则用E dit→Resiz e→G loble整体加大。过孔隔离拍和花焊盘连着的不管。隔离拍不够大就整体加大，隔离线不够就更改D码。

手工优化：

把drl层打为工作层，Actions→Reference Selection参考选择，在对话框中，Mode：Disjoint(不包含的)，Reference(参考层)：选负片层，点OK，把选中以正性的复制到新层并放大500。

打开新层，和负片层对比，测量新层拍位的大小，单选双击对应的花焊盘更改D码，点↖读取信息，点击花焊盘，把花焊盘的内径设刚才测量的尺寸，外径大小则在内径的基础上加大500。

优化隔离拍：

同上一样的参考选择命令，Mode：Touch（接触的），Reference Layer（参考层）：选负片层。点OK，把选中以正性的复制到新层并放大500。打开新层，和负片层对比，测量新层拍位的大小，单选双击对应的隔离拍更改D码，点↖读取信息，点击隔离拍，把隔离拍的内径设刚才测量的尺寸，外径大小则在内径的基础上加大500。

不管是手动还是自动，之后一定要手工检查。

若花焊盘的的开口数量不够可用0.25的负线增加，或用更改符号命令把开口角度换一下。

若有两个花焊盘重叠、有可能导致扩孔，用负性的铜皮，多边型选择重叠部分，若开口大小不够的话则用0.25的负线扩大。

若有花焊盘和隔离拍重叠、有可能导致扩孔，在保证隔离拍比孔单边大0.2的情况下，把花焊盘的孔复制到负片层改变极性去掏。

填小间隙：DFM→Sliver→Sliver&Peelable Repair

DFM→Sliver→Sliver&Peelable Repair，在对话框中：Sliver Min：150my（意为低于此值的间隙将被填充），点击运行即可。

无铜孔掏铜：

打开drl（钻带），打开过滤器命令，在User Filter中选Select Non Plated Holes无铜孔，点Ok。选中无铜孔，用E dit→C opy→O ther Laye 复制到负片层去，在Destination（层名）中选Affected Layer（影响层），Invert（极性）中选NO为正性(只能以正性的哦)，在Resize By（放大尺寸）为500，再负片层为影响层，点Ok。

外形掏铜:

打开gko层，用E dit→C opy→O ther Layer复制到负片层去，在对话框中，Destinaiong栏中为：Affected Layer（影响层），Resize By栏中为：600~800之间的D码，正性的。

负片检测：Analysis→Power Ground Checks

点击Analysis→Power Ground Checks负片检测，在对话框中，ERF栏为内层，Layer栏：默认所有内层负片，若单层操作的话需手动选择。

Drill To Copper钻孔到铜皮：，Minimal Sliver最小间隙：，

Rout To Copper成型到铜皮：，Nfp Spacing花焊盘开口：，

Plane Spacing隔离拍间距：，

点运行，若有红色问题须查看，可点击报表选min最小的查看，

NPTH to Copper

NPTH to Plane

PTH annular ring

PTH to Copper

PTH to Plane

VIA annular ring

VIA to Copper

VIA to Plane

PTH contains Clearance

VIA contains Clearance

Rout to Copper

Slivers：填充或掏

Local Spacing

NPTH contains Copper

Spot NFP

Spoke width

Thermal connect reduction：此问题不管

NFP spacing

NFP spacing (pos)

Plane spacing

Segmentation lines

PTH Registration

NPTH Registration

VIA Registration

Missing Cu for VIA

Missing Rout Clearance

Complex Thermal Geometry

Thermal air gap      

Small Spoke Width   

Net too large

内层正片：

内层正片基本要求：

内层的独立拍都要删除

钻孔到线、到铜皮要保持0.2mm以上

内层线宽线距最少保持0.25mm

过孔焊环要保持0.15以上，最小0.125mm以上

外型掏铜0.8-1.0的线，内层线路补偿可以和外层一样!

删除独立拍：DFM→Redundancy Cleanup→NFP Remvol

点击DFM→Redundancy Cleanup→NFP Remvol删除独立拍，Layer(执行层)：默认所有的内层正片,Drills栏中：Pth Npth Via 都要勾选，接着点运行。运行完后手动检查，有漏删的手动删除。

线路补偿(涨线路、预大)：E dit→Resiz e→G lobal

若全是铜皮则不用补偿，若有部分线路可针对线路做补偿

A ctions→Selct D rawn选择铜皮后用A ctions→Reverse Seleitions反选后做补偿。

线路优化：DFM→Optimization→Signal Layer Opt

点击DFM→Optimization→Signal Layer Opt线路优化，在对话框中：Erf栏为内层，Signal Layer(执行层)：默认所有的内存正片，

Pth Ar（PTH孔焊环） Min:150    Opt：150

Via Ar（VIA孔焊环） Min:150      Opt:150

Spacing（间距）Min:10      Opt:10

Pad To Pad Spacing（拍到拍间距）Min:10   Opt:10  

 Drill To Cu （孔到铜）:200-250

仅勾选padup涨拍项，点击运行。

缩铜皮：（在涨拍后才能做）

   有两种方法：

1：单选双击选择铜皮，也可以用A ctions→Select D rawn选择铜皮，在对话框中，Type Of Drawn Data：默认，Analyze Thermal Pads（分析散热拍，Yes可过滤）：Yes，点Ok即可选中铜皮，选中后移动到新层，层名可随意命名，打开新层将铜皮E dit→Re shape→Co ntourize表面化，点OK，之后用测量命令选网络测量，测量拍到铜皮的最小间距，用E dit→Resz ie→G lobol（整体加大）命令，在对话框中，Size：负（0.2-测量所得的最小值）*2，值放大一千倍，点OK。缩小后回原始层。

2：用同上的方法选择铜皮，移动到新层，把原始层的拍位（用显示物件命令框选）也移到另一个新层中去，两个新层的层名可随意。然后用Acrions→Rerference  Selection参考选择命令，工作层为新拍位层，参考层为新铜皮层，在对话框中，Use：默认，Mode（模式）：有Touch（接触的）/Disjoint（不包含的）/Covered（包含的）/Includes（覆盖的）四项，选Disjoint（不包含的），点Ok，然后用复制命令把选中的不包含的以负性的、并放大400~500之间复制到新铜皮层，点OK。接着打开铜皮层表面化，再移回到对应的线路层。若是线路到铜皮间距不够的话也一样可以参考线路。

以上只是讲的两种缩铜皮的方法，最好是用第二中方法。

如果是线路到铜皮间距不够，则拿线路做参考缩铜皮

如果是钻孔到铜皮间距不够，应拿钻孔做参考缩铜皮

加泪滴：DFM→Legacy→Teardrops Creation

若资料本身有的则不用加，点击DFM→Legacy→Teardrops Creation加泪滴，在对话框中，Ref栏选内层，Layer（执行层）：默认所有的内层正片。A Ring Min：200-250 (意为低于此数值的将被加泪滴)。点运行即可。

无铜孔掏铜：

   打开drl（钻带），打开过滤器命令，在User Filter中选Select Non Plated Holes选择无铜孔，点Ok。将选中的无铜孔，用Edit→Copy→Other Laye 复制到所有内层正片，在Destination（层名）中选Affected Layer（影响层），Invert（极性）中选Yes为负性，在Resize By（放大尺寸）为400-500左右，再将内层正片设为影响层，点OK。

外形掏铜：

打开gko层，用Edit→Copy→Other Layer复制到正片层去，在对话框中，Destinaiong栏中为：Affected Layer（影响层），Resize By栏中为：800-1000之间的D码，负性的。

削 拍：DFM→Optimization→Signal Layer Opt

点击DFM→Optimization→Signal Layer Opt线路优化，在对话框中，ERF栏为内层，

Pth Ar（PTH孔焊环） Min：75     Opt：100，

Via Ar（VIA孔焊环） Min：50    Opt：65

Spacing （间距） Min：150     Opt：150

Pad  To  Pad  Spacing （拍到拍间距） Min：150    Opt：150

Drill  To Cu （孔到铜） ：250

仅勾选Shave（削拍）项，点运行。有问题须查看报告。

线路检查： Analysis→Signal Layer Checks

点击Analysis→Signal Layer Checks线路检查，在对话框中：

Erf栏为：内层。Laye（执行层）为：默认所有的内层正片。

直接点击运行，有问题须查看问题报告，并处理。如pth To Copper：钻孔到铜皮到线！一定要要求处理。