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超难理解的一个ESD问题,
2)手机的前壳金属框旁边放置一个悬空的金属片,但是两个金属不接触。距离保持在0.1-0.2mm之间,然后将静电打到悬空的金属片上,手机就会直接掉电。
想了半天没有一个很好的理论解释该现象,请高手指点!
你指的金属框做好接地是真正接到大地了么?
这两片金属应该构成了一个电容吧,静电打到另一片上,然后会给手机前壳的金属框充电。类似CDM模式
补充:
1)手机前壳的金属框已经做好接地,空气放电测试可以通过+/-12kv。
2)手机的前壳金属框旁边放置一个悬空的金属片,但是两个金属不接触。距离保持在0.1-0.2mm之间,然后将静电打到悬空的金属片上,手机就会直接掉电
(静电打到悬空金属片上后会马上与手机金属框放电,然后手机就掉电了)[/COLOR]
为什么直接手机金属框不会出现问题?在中间增加一个金属就会出现掉电现象?郁闷中[/COLOR]
我的理解是这样的:
1)手机前壳的金属框已经做好接地,空气放电测试可以通过+/-12kv。
[/COLOR][/COLOR]
这时你的金属壳与地一体,静电直接打到地上,地的电势不变,手机里其他电路不受影响!
2)手机的前壳金属框旁边放置一个悬空的金属片,但是两个金属不接触。距离保持在0.1-0.2mm之间,然后将静电打到悬空的金属片上,手机就会直接掉电[/COLOR]
这个问题,你悬空的金属片与手机的地,就相当于有两个地存在,静电打到悬空的金属片上,会引起手机金属壳与悬空金属片的二次放电,手机的地的电势发生变化,这会影响到手机的内部电路,造成掉电!
但是金属片与手机金属片的距离拉大一点,大于0.5mm后,金属片也会和手机金属框放电,但是不会死掉,只有距离很近的时候会掉?
分析一下静电的影响:
1.静电场的影响.
2.电荷注入的效应.
3.放电电流产生的场效应.
从你描述可以看出,你的放电模式改变了,因为"枪头"的形状改变了,对于拉大金属片的距离后导致耦合电容(距离d变大了)的大小改变了,你可以想象假如你的ESD-Gun的Tip变的有金属片那么大(当然还是不能完全替代你的金属片放电模式),那结果还会一样吗?再说耦合板放电还有距离和泻放回路的限定,你这样做就有点不伦不类了,除非金属片是EUT的一部分,那样的话你就要考虑该如何解决这个问题了,当然你肯定有好的解决办法.
TA对于耦合板的放置位置应该是有规定的。
好像都是10cm?
我的理解是这样的:
1)手机前壳的金属框已经做好接地,空气放电测试可以通过+/-12kv。
[/COLOR][/COLOR]
这时你的金属壳与地一体,静电直接打到地上,地的电势不变,手机里其他电路不受影响!
2)手机的前壳金属框旁边放置一个悬空的金属片,但是两个金属不接触。距离保持在0.1-0.2mm之间,然后将静电打到悬空的金属片上,手机就会直接掉电[/COLOR]
这个问题,你悬空的金属片与手机的地,就相当于有两个地存在,静电打到悬空的金属片上,会引起手机金属壳与悬空金属片的二次放电,手机的地的电势发生变化,这会影响到手机的内部电路,造成掉电![[/COLOR][/COLOR][/COLOR]br]
+3 RD币
这个解释很没道理
直接对手机打esd,手机的地电势不变。(应该是肯定变)
如果对旁边的金属片打esd,然后这块金属片又再次对手机放电,手机的地电势就变了?
可以把这块金属片看作是一个电荷载体,那么它类似为一个esd抢头,这个就跟esd gun直接打手机没有区别,所以你的解释根本不对
我的理解是,因为金属片是,导体,而且是裸露着的,因此打esd时,esd的能量会很大,然后金属片再对手机放电,此时大能量电弧,立刻打死了手机
你可以自己观察两种esd电弧之间的大小,应该会有明显区别
二次放电!??
对吗?
电容效应二次放电
ESD抑制的疏是尽量引入地,悬空的金属片反而是积聚电贺的载体而不是排泄到地的管道
这个和表面金属装饰件/电镀件的ESD效果差一个道理
电容效应二次放电
ESD抑制的疏是尽量引入地,悬空的金属片反而是积聚电贺的载体而不是排泄到地的管道
这个和表面金属装饰件/电镀件的ESD效果差一个道理
对,一般ESD防护就是 堵和泄
这里的这个金属片却起到了导的作用,将ESD能量引入到手机,而不是堵,也不是泄到“大地”。
也就是:
本来金属片和手机就有电位差,一旦打ESD,就会叠加到之前的电位差。所以火花更大了。电容效应!
我的猜想是
正常在8kv打静电的时候,放电距离一般可能要大于3mm,这时候产生的电流、电场可能要较小。
但是当加入金属片的时候距离直接拉短到0.2mm,这个时候电流、电场可能要会变的很大所致。
于是采用接的脉冲连续放电,但是不能复现掉电现象,所以也不能解释通。
疑难杂症?做技术一定要钻牛角尖!帮你顶起来
所以一般手机外壳有金属涂层(这个涂层也不接地),ESD相当头疼的事
1、是否还有其他可以让金属片二次放电、导入手机板的地方?
2、打静电应该是步进的,12k可以,10k、8k、6k是否都可以通过?
这个解释很没道理
直接对手机打esd,手机的地电势不变。(应该是肯定变)
如果对旁边的金属片打esd,然后这块金属片又再次对手机放电,手机的地电势就变了?
可以把这块金属片看作是一个电荷载体,那么它类似为一个esd抢头,这个就跟esd gun直接打手机没有区别,所以你的解释根本不对
我的理解是,因为金属片是,导体,而且是裸露着的,因此打esd时,esd的能量会很大,然后金属片再对手机放电,此时大能量电弧,立刻打死了手机
你可以自己观察两种esd电弧之间的大小,应该会有明显区别
+3 RD币
不知道lz有没有观察过这个ESD电弧的区别
我没有做过实验,但是经过反复思考,我收回上次的说法
应该不是ESD能量大小引起的问题,因为手机的密封性不变的情况下,直接打ESD和间接受ESD打击,能够导入的能量是不会差多少的。
可能是EMI导致的问题,LZ可以尝试一下,将金属片放置于手机之上,打ESD,应该也是立马死翘翘的。这个是瞬间强磁场干扰的结果。
可能就是放电距离的原因
不能沉下去呀,大家都帮助顶起来
之前也遇到好多case,就是二次放电结果会更差一写,弟兄们设计时一定注意了,别再让那些狗屎得floating metal害我们了
正好这两天我也遇到这样的问题,手机上方有两个floating金属条,趴着打立马死翘翘
按理说手机朝上时手机处于上下两个极板的E-field中应该会更差呀,理解不了
lz看到后给我发个邮件吧lr_ggc@sohu.com,留下你的电话,我们沟通沟通
也请各位大虾多多支招
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