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EOS-----------你究竟是何方神圣
看来这个问题还是有点难度,都不见大家发表发表一下自己的看法!
确实不懂,哪方面用到的?
一方面来自杂讯,或其他高电压烧坏IC,它的作用时间比ESD长,但没有ESD电压高,电流比ESD大,
切片分析,EOS比ESD毁坏面积大的多。....
EOS是过载引起的损坏,比如使用过程中的超过器件承受能力引起的击穿等,ESD是静电,主要生产过程中静电堆积,放电造成的损坏!我有相关方面的资料,等下会传上来.
ESD从本质上属于EOS的一种,EOS防护一般是降额设计,ESD防护的话,一般选用ESD等级高的器件,要不就做ESD保护电路。
我这里有点资料,希望对你有所帮助。
【文件名】:07116-EOS.pdf
zJNDz4tY.doc (2.01 MB)
TKp8xqnz.pdf
EOS-----------你究竟是何方神圣!
刚刚看到楼主以前发的帖子,说是芯片供应商分析分析报告EOS问题。这类现象非常普遍。对供应商来说,尽可能的把问题推给客户是他们一贯的思路或者说是方法,你可能给他们10个失效器件,里面有一个是EOS问题,那么他们给你的分析报告结论很可能就是EOS失效。实际上,对一个失效分析人员来说,要准确的区分出一个器件失效的原因就是EOS和ESD是很困难的。
对于EOS问题,不要太相信供应商的结论。
首先保证器件的应用电路是否满足规格书的要求和降额设计要求,再测试上下电和工作过程中是否有电压过冲和电浪涌,如果排除了以上两种情况,基本上就排除了EOS问题,当然外部其他电磁波干扰也可能会有影响。
ESD问题就比较麻烦,确定失效器件的ESD等级,然后考虑生产现场的ESD防护状况是否符合器件的ESD等级要求,通过试验进行ESD试验复现失效现象(表现的特征多为短路和漏电,一般不会开路)。
以上是个人观点,希望大侠们指正。
EOS是过载引起的损坏,比如使用过程中的超过器件承受能力引起的击穿等,ESD是静电,主要生产过程中静电堆积,放电造成的损坏!我有相关方面的资料,等下会传上来.
ESD从本质上属于EOS的一种,EOS防护一般是降额设计,ESD防护的话,一般选用ESD等级高的器件,要不就做ESD保护电路。
我这里有点资料,希望对你有所帮助。
【文件名】:07116-EOS.pdf
【目 录】:
刚刚看到楼主以前发的帖子,说是芯片供应商分析分析报告EOS问题。这类现象非常普遍。对供应商来说,尽可能的把问题推给客户是他们一贯的思路或者说是方法,你可能给他们10个失效器件,里面有一个是EOS问题,那么他们给你的分析报告结论很可能就是EOS失效。实际上,对一个失效分析人员来说,要准确的区分出一个器件失效的原因就是EOS和ESD是很困难的。
对于EOS问题,不要太相信供应商的结论。
首先保证器件的应用电路是否满足规格书的要求和降额设计要求,再测试上下电和工作过程中是否有电压过冲和电浪涌,如果排除了以上两种情况,基本上就排除了EOS问题,当然外部其他电磁波干扰也可能会有影响。
ESD问题就比较麻烦,确定失效器件的ESD等级,然后考虑生产现场的ESD防护状况是否符合器件的ESD等级要求,通过试验进行ESD试验复现失效现象(表现的特征多为短路和漏电,一般不会开路)。
以上是个人观点,希望大侠们指正。
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