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USB2.0 PCB Layout EMC 指导

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USB2.0 PCB Layout EMC 指导
1. USB 2.0/ USB1.1 D+/D- 之訊號佈局概要
a.USB D+/D- 訊號線 Keep 等長,平行,等距 ( 例: Figure-1, Figure - 2 ), 請勿以Figure:2b 方式佈線 。裝置控制晶片靠近USB 連接器, 使USB 連接器 D+/D-訊號線至控制晶片之距離盡量短,建議線徑16 密爾以上,D+/D- PCB 板背面不要有其他訊號之走線。並注意15k 電阻連接方式。
Figure – 1
Figure – 2
b. D+/D- trace 與trace 間的距要與trace 等寬。
c. 每對D+/D-外圍加上包圍的地線(Guard Traces)。
d. D+/D-線上之Matching 電阻於Layout 時須盡量靠近chip 側,走線時請先以HSDP,HSDM,為優先 FSDP,FSDM 為次要考量。
e. D+/D- traces 避免使用貫穿孔佈線 (as Figure – 3)。
Figure –3
f. 設計避免使用二個USB Connector D+/D- traces 連接於同一晶片,並避免產生 Stub(分歧).
g. 單面placement 時請將0.1uF 的 bypass 電容安置在最靠近chip 的位置。雙面placement時請將0.1uF 的bypass 電容放在IC 的背面。
h. PCB 下方完整的GND 佈線,並加上每一平方公分至少一貫穿孔,如此會有較好的EMI 效果 (as Figure –4)。
Figure –4
i.D+/D- traces 對於無法避免的狀況需作90 度轉折時,請做兩次45 度的轉折取代一次轉折。
2. 接地的探討與Power 佈局
接地設計,規劃妥善可使雜訊因傳導於地得宜而使得訊號乾淨,避免EMI 之輻射.
a. Power 及GND 以格子狀分布。
b. 使Power 平面比ground 平面小。
c. GND 使用多點接地,不用之區域儘可能填滿GND。接地面要盡量大及完整。
d. GND 與USB connector(Shielding GND)中預留Ferrite Bead。
g. 振盪器佈線周圍需有GND 包圍,如此才不至干擾其他訊號。
而振盪器的走線方面請將兩線平行且對稱,如此會有較好的振盪波形及EMI 效果。
e. Card Reader: Card Slot 插入口處儘可能填滿GND, 裸露GND 金屬. 使雷擊之能量儘速傳導到地線.
f. CF 卡連接器裝置金屬彈片, 以接觸插入之CF 卡之金屬外殼傳導到地線, 使雷擊之能量儘速傳導到地線.

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