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问大家一个问题——DDR CLK辐射超标
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可以将串联电阻值改变降低辐射大小吗？谁有这方面的经验？
1.看看PWB走线是否能走在内层，用地包起来。如果线走在表层，要debug的话，用铜箔什么的糊起来，把铜箔接上地，屏蔽起来。或者用吸波材料贴上试试（吸波材料要选择合适）
2.加大串联电阻值试试
首先，这个串联电阻的值不可以随便改，因为这个阻值从SI角度考虑是用来串联匹配的，如果改变了这个值可能信号失真会很严重，眼图过不了，
但是几乎可以肯定的是如果你增大这个阻值EMI一定会减小，因为匹配电阻阻值增大就意味着终端的充放电时间延长，就是说信号的上升沿会变得缓慢，这样的话对于EMI来讲肯定是有好处的，但是对于SI来讲可能会是噩梦。
DDR的辐射只能两种方法来解：
1.调展频来克服；
2.屏蔽接地的方法，用法拉第罩屏蔽；
新手学习了
请教一下，DDR走线都是怎么测试的？有没有特别注意的地方？
有道理。
学习了,
在保证信号完整的基础上，1可以由软件将DDR信号工作频率调宽；2可以做屏蔽处理；3可以串联适当的电阻。
学习中！
我们做相机产品也碰到DDR引起EMI测试不过,我们的做法是串电阻方式和软件修改方式,因为电阻过大,机器不能正常工作.这时就要软件去调式.
DDR 容量的选取 也是一个问题？
各位高手 给个 准确答案
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