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为什么压敏电阻被损坏?
关注中,看那位高人指点一下。
外部DC-DC电源的拔插吗?
不是,是结构插拔测试....
有没有遇到过的啊?
难道是电路的寄生电感太大,导致电压Ldi/dt大,然后使EMI器件长时间工作在大电压下,使得损坏?
那位大侠指导一下啊?
首先是否可以稳定复现?如果是的话,可能两个原因:
插拔时候的浪涌比较大(两端设备不供地),另外就是你的压敏电阻和TVS防护能力(重点是通流能力太弱了);
解决办法:使用长短针,保证每次插拔地先接触,然后是信号线,最后是电源。或者采用其它插拔方式(开关控制或者不支持热插拔)
不能稳定复现
但是插拔时是不接电脑的,USB线没有给手机供电,只是手机装着电池而已,应该没有浪涌的问题
不过你的长短针思路很好,谢谢
看网上的说法,一般有两种原因:过压【击穿】和过流【烧穿】,但具体机制还有待搞
把环境说说清楚,供大家分析嘛!
是那个结构件插拔试验啊之类的信息。状态是怎么样的!
我是做TVS的,如果是TVS是短路失效的话,只有过流失效模式,过压击穿是他的工作原理,如果长时间过压或者过电流问题,选个功率大点的就可以解决。 压敏不是很了解,基本也是这样,过压易使其失效。
一起探讨
那个插拔的情况大概是这样:环境:常温,将手机【带电池,不开机】固定,然后用一个类似机械手的东西拿着数据先去插USB插座的那个孔,反反复复3万次的样子,频率大概是1HZ。
测试完成后开机,连接到电脑上,检测USB不能识别。
我看到一种说法是TVS还要考虑一个脉冲累积功率的东西,如果那个大了也会坏。
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