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弱弱的问几个esd 的问题，
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大家好，我是刚刚开始学习esd，所以很多东西不是太懂，现在遇到几个问题想要请教各位高手，如果知道的话，麻烦解答一下，先谢了
我看到我们公司一个ＥＭＭＩ报告，有个地方不是很明白，比如
ＶＳＳ ＴＯ ＶＤＤ（＋） ＰＡＳＳ
ＶＤＤ ＴＯ ＶＳＳ（－）却没有通过这是为什么啊？
２．有没有使用过的ＥＳＤ保护的ＭＯＳ的drain和source都要满足一样 的rule的，我看到有一个design rule规定source端的contact to poly的距离也要满足和drain contact到poly一样的距离，（source和sub都接ＶＳＳ），但是我不知道原因？
３．还有哪位大虾有关于esd device的详细资料啊，可不可以给我一份啊，谢谢了
我的emali是zhdq＿４１３＠１６３．com
我看到我们公司一个ＥＭＭＩ报告，有个地方不是很明白，比如
ＶＳＳ ＴＯ ＶＤＤ（＋） ＰＡＳＳ
ＶＤＤ ＴＯ ＶＳＳ（－）却没有通过这是为什么啊？
２．有没有使用过的ＥＳＤ保护的ＭＯＳ的drain和source都要满足一样 的rule的，我看到有一个design rule规定source端的contact to poly的距离也要满足和drain contact到poly一样的距离，（source和sub都接ＶＳＳ），但是我不知道原因？
３．还有哪位大虾有关于esd device的详细资料啊，可不可以给我一份啊，谢谢了
我的emali是zhdq＿４１３＠１６３．com
各位前辈们,怎么都不理我呢?
帮忙解答一下吧,谢谢了
可能大家不是不想帮你， 是 看不懂 你说的问题？
1.什么叫 ＥＭＭＩ 报告呀 ? 别用 缩写！ 你刚开始学ESD， 就先简单看看标准吧， EN61000-4-2 或者 GB17626.2
2. 你的 第2个 问题， 我认为不是 关于 ESD保护器件 的， 而是你用的MOS 的 D.S 极 设计要求。这样的要求并不是为了 ESD防护吧！
谢谢你的回复
EMMI报告就是ESD测试报告啊,采用MM的,一般的200V
ESD 可靠性和Drain contact to POLY的距离有关系,所以我想请教的是为什么source也要才用这种方式,他在esd中和drain的作用不一样的啊
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