• 易迪拓培训,专注于微波、射频、天线设计工程师的培养
首页 > 电子设计 > EMC/EMI 设计 > 电磁兼容EMC > 电磁兼容原理和抑制技术(六)

电磁兼容原理和抑制技术(六)

录入:edatop.com    点击:

2.2.2 反射损耗
由(24)式
                           (31)
式中:对于高阻抗电场
                     (32)
   对于低阻抗磁场
                         (33)
   对于远场
k=1,r≥λ/2π                                 (34)
代入(31)式可得:
对于高阻抗电场
                        (35)
对于低阻抗磁场
                          (36)
对于远场
                          (37)
对于 K>> 1(29)式可简化为:
RdB=20Log10(K/4)                            (38)
将(35)、(36)、(37)代入(38)式可得:
对于高阻抗电场
RdB≈141.7-10Log10(μr  f 3MHz r2m/σr)               (39)
对于低阻抗磁场
RdB≈74.6-10Log10(μr / fMHz σr r2m)                (40)
对于远场
RdB≈108.1-10Log10(μr fMHzσr)                  (41)

式中:RdB是源到屏蔽的距离,由于远场rm >>   λ/2π≈47.8 / fMHz与rm无关,公式均采用以厘米为单位的米制。
图2.6(a)、(b)、(c)分别表示高阻抗电场、低阻抗磁场、远场与频率的关系。

2.2.3 吸收损耗

吸收损耗实际上是由于金属中的电阻损耗造成的,随后伴生的损耗转化为发热热量。
将(28)式展开可得:
        
对于金属
                      (42)
图2.7表示常用屏蔽材料的吸收损耗与频率的关系。注意吸收损耗与波阻抗无关。

2.2.4 再反射损耗

将(30)式展开可得:
                       (43)
对于K>> 1 (43)式可简化为:
                       (44)

                     (45)

2.2.5 低频磁屏蔽效能

在总屏蔽效能公式(27)中,当t/δ,K,2γt<< 1时,对工作在≤低频的磁场材料,式(27)可显著简化为:
                       (46)
对于4K,2γt >>  8kγt则有
SEdB=20Log10(1+γt/2K)                          (47)
式中:
    
代入展开可得:
                             (48)

       对于极低频和直流磁场(48)式是确定磁屏蔽效能的一个有效而简单的表达式;同样对于具有确定屏蔽厚度t和半径r的线对、同轴线或线束的屏蔽层也有效;若使用导线或线束屏蔽层,必须确定用于编织屏蔽层的有效相对磁导率,因为此屏蔽层的大部分可能是空气或其它一些材料。

EMC电磁兼容设计培训套装,视频教程,让您系统学习EMC知识...

射频工程师养成培训教程套装,助您快速成为一名优秀射频工程师...

上一篇:电磁兼容原理和抑制技术(七)
下一篇:电磁屏蔽原理是什么?

EMC培训课程推荐详情>>

EMC电磁兼容视频培训教程EMC 电磁兼容设计专业培训视频套装,3门视频教程,让你系统学习电磁兼容知识和应用【More..

易迪拓培训课程列表详情>>

我们是来自于研发一线的资深工程师,专注并致力于射频、微波和天线设计工程师的培养

  网站地图