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细谈去耦合对电磁兼容的影响
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分析和结果
测试的原型为下面两个版本：一个由晶体振荡器提供外部50MHz参考的FPGA；三个主要接口：350MHz时钟速率的DDR2 SDRAM、150MHz的ADC数据总线和100MHz 的以太网。所有这些元器件都由1.8V降压转换器供电。通过表1中列出的测试案例，可以了解去耦合(包括PCB叠层和电容器)对SSN和EMC的影响。
在测试案例1中，原型PCB包括四个信号层和一个接地层，有16个0.1μF去耦合电容器连接到PCB上FPGA的+1.8V电源引脚。在测试案例2中，原型PCB包括四个信号层和三个接地层，有25个0.1μF去耦合电容器连接到PCB 上FPGA的+1.8V电源引脚。
表1. 研究PCB去耦合对SSN和EMC影响的测试案例。
由图1的PDN阻抗曲线可以看出( 使用Mentor Graphic Hyperlynx软件对布局后期的功率完整性进行分析)，相比测试案例1，测试案例2的电力网有更好的去耦合条件，因而在宽带范围内有更低的阻抗。0.1μF的电容器在中低频段（< 400MHz）会产生影响。另外，接地层的平面电容在频率高于400MHz时会产生影响。与测试案例1相比， 测试案例2有更多的去耦合电容器和接地层，因而具有更低的PDN阻抗。
图 1. PDN 阻抗图
然后，对两个测试案例中频率跨越30MHz至1000MHz时+1.8V(使用频谱分析仪通过交流耦合探测)的功率频谱进行比较。参见图2b所示的测试案例2的频谱，所观察到的杂散主要是由晶体振荡器(50MHz基频)、DDR2 SDRAM (350MHz基频)、ADC数据总线(150MHz基频)和以太网(100MHz基频)的谐波造成的。在图2a所示的测试案例1中， 由于去耦合性能较差，频谱上出现了杂散，其功率达到最高。
PDN阻抗和晶体振荡器瞬态电流之间的相互作用， 加上在特定频率上同时开关或切换的IC输出缓冲器(即SSN)，共同产生了电网噪声。通过改善去耦合降低功率阻抗，SSN和频率杂散便能得到抑制。
图2a: 测试案例1 中+1.8V的SSN 图2b:测试案例2 中+1.8V的SSN
通过在3米的电波暗室进行辐射发射(RE)测试可以比较 两种测试案例的原型之间的噪声性能。测试案例2显示出比测试案例1更好的RE或EMC性能，测试案例2中有更多的接地层，这不仅能改善去耦合或PDN阻抗，还为沿PCB 迹线传输的所有信号提供了恰当的返回路径，从而进一步降低了辐射发射。
图3a: 测试案例1的RE 图3b:测试案例2的RE
结论
实际测试证实了去耦合对SSN和EMC的确会产生影响。因此，PDN和PCB叠层必须采用严格的方式执行， 以确保原型具有出色的质量、稳健性和功能。
本文来源于电子技术设计。
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