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辐射源与EMI的关系探讨
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在进行电路设计时很多人都希望能够将EMI进行最大程度的降低。说到需要降低EMI，就需要针对辐射源进行优化，本文就将为大家介绍辐射源与EMI增高与降低之间的关系。
EMI辐射源
在每个开关周期里，存储在寄生电感器中的能量将和存储于寄生电容器中的能量发生共振。当能量释放时将在开关节点（VSW）上产生一个很大的电压尖峰，其最大可达输入电压的两倍，如图3所示。当MOSFET的电流能力增加时，存储在寄生电容器中的能量往往也会增加。另外，开关动作还使输入电流以及流过顶端MOSFET（ITOP）和底端MOSFET（IBOT）的电流产生脉动。此脉冲电流将在输入电源电缆和PCB板印制线（其充当了发射天线）上产生电波，从而产生辐射发射和传导发射。
图1：12V输入降压型开关稳压器中的典型开关节点电压尖峰和振铃
当输人电压和输出电流增加时，每个周期中功率电感器改变极性时开关节点上的电压尖峰也将增大。而且，输出电流越高，电路回路内部产生的脉冲电流越大。因此，辐射发射在很大程度上取决于被测试器件所处的电气操作条件。一般来说，辐射噪声将随着输人电压和输出功率（特别是输出电流）的提高而增加。由于作为低噪声替代方案的线性稳压器效率过低，而且在高电压和高功率级别下耗散过多的热量，因此设计工程师不得不克服因采用最先进的开关电源解决方案而引发的难题，其中的EMI抑制变得颇为棘手。
图2：在96W输出功率下LTM4613（DC1743）的EN55022标准相符性演示（由独立测试机构负责实施）
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