首页 > 电子设计 > EMC/EMI 设计 > 电磁兼容技术问答 > 我在hfss中做得几个屏蔽体，激励源与辐射边界间不同距离的例子的问题？

我在hfss中做得几个屏蔽体，激励源与辐射边界间不同距离的例子的问题？

录入：edatop.com 点击：

我采用的是20*40*40cm的屏蔽腔体，壁厚0.2cm，采用高斯脉冲，沿-y方向传播，+z方向极化，用10*2cm的孔缝，高斯波传播方向正垂直于空表面，其极化方向平行于短边及垂直于长边。分别用了40*60*60cm，50*70*70cm，100*100*100三种辐射边界（空气盒），高斯波激励源分别设在距孔缝外表面3cm，5cm，8cm，10cm，13cm的地方得到了不同的腔体中点的场强随频率的曲线。具体图如下！