低频磁场的屏蔽

对于许多人而言，低频磁场干扰是一种最难对付的干扰，这种干扰是由直流电流或交流电流产生的。例如，由于炼钢的感应炉中有数万安培的电流，会在周围产生很强的磁场，这个强磁场会使控制系统中的磁敏感器件失灵，最常见的磁敏感设备是彩色CRT显示器。在磁场的作用下，显示器屏幕上的图象会发生抖动、图象颜色会失真，导致显示质量严重降低，甚至无法使用。低频磁场往往随距离的衰减很快，因此在很多场合，将磁敏感器件远离磁场源是一个减小磁场干扰的十分有效的措施。但当空间的限制而无法采取这个措施时，屏蔽是一个十分有效的措施。但要注意的是，低频磁场屏蔽与与射频屏蔽是完全不同的，射频屏蔽可以用铍铜复合材料、银、锡或铝等材料，但这些材料对磁场没有任何屏蔽作用。只有高导磁率的铁磁合金能屏蔽磁场。

1.基本原理

根据电磁屏蔽的基本原理，低频磁场由于其频率低，趋肤效应很小，吸收损耗很小，并且由于其波阻抗很低，反射损耗也很小，因此单纯靠吸收和反射很难获得需要的屏蔽效能。对这种低频磁场，要通过使用高导磁率材料提供磁旁路来实现屏蔽，如图1所示。由于屏蔽材料的导磁率很高，因此为磁场提供了一条磁阻很低的通路，因此空间的磁场会集中在屏蔽材料中，从而使敏感器件免受磁场干扰。

从这个机理上看，显然屏蔽体分流的磁场分量越多，则屏蔽效能越高。根据这个原理，我们可以用电路的的计算方法来计算磁屏蔽效果。用两个并联的电阻分别表示屏蔽材料的磁阻和空间的磁阻，用电路分析的方法来计算磁场的分流，由此可以计算屏蔽效果。

　　计算屏蔽效果公式
　 H I = H 0 Rs / （ Rs + R0）
式中：
　H I = 屏蔽体内的磁场强度
　H 0 = 屏蔽体外的磁场强度
　Rs = 屏蔽体的磁阻
　R0 = 空气的磁阻
　　磁阻的计算公式
磁阻 = S / （m A）
式中：
　S = 磁路长度
　m = m 0 m r
　m r = 屏蔽材料的相对磁导率
　A = 磁通流过的面积
因此圆形管子的磁阻为
　Rs = p b /（ m 0 m r 2t L）
　为了简单，设截面为正方形，
　管子内空气的磁阻为： 屏蔽效能为：
R0 = 2 b /（ m 0 2b L）
SE = H 0 / H I
对于高导磁率屏蔽材料，Rs < < R0 ，因此，屏蔽效能为：
SE = R0 / Rs = 2 m r t / p b
从公式中可以看出，屏蔽材料的导磁率越高、越厚，则屏蔽效能越高。另外，b越小，屏蔽效能越高，这意味着，屏蔽体距离所保护的空间越近，则效果越好。

2.基本概念

磁场强度 ( H )： 单位是奥斯特，与磁场源的强度和距离有关
磁通密度 ( B )： 单位是高斯，度量穿过每平方厘米的磁力线数量，与源的方向有关
磁导率　 ( m )： 表征材料为磁力线提供通路的能力， m = B / H
饱和强度　　： 在饱和强度下，材料不能再通过多余的磁力线
磁阻　　( R )： 表征材料对通过磁通的阻碍特性，定义为：R = L / m A，L是磁通路径长度（cm），A截面面积（cm2）

3.屏蔽材料

如前所述，磁屏蔽需要高导磁率材料，满足这种要求的材料是铁镍合金，这种材料具有很高的磁导率。一种常用的合金的化学成分如表1所示。这种材料在正确热处理的条件下，起始磁导率（直流，磁通密度为40高斯）可达到60，000，最高磁导率可达到400，000。

表1
成分 Ni Mo Mn Si Fe
数量（%） 80 4.2 0.5 0.35 其余

磁导率并不是固定不变的，它会随外加磁场、频率等变化。磁导率随频率的变化如图2所示。从图中可以看出，不同厚度的材料的频率特性也不一样，较厚的材料磁导率随频率下降更快一些。

磁导率还与外加磁场强度有关，当外加磁场强度较低时，磁导率随外加磁场的增加而升高，当外加磁场强度超过一定值时，磁导率急剧下降，这时称材料发生了饱和，典型高导磁率材料的磁导率随外加磁场的变化如图3所示。材料一旦发生饱和，就失去了磁屏蔽作用。材料的磁导率越高，越容易饱和。因此，在很强的磁场中，磁导率很高的材料可能并没有良好的屏蔽效能。在选材料时，关键一点是选择同时具有适当饱和特性和足够磁导率的材料。表2给出了一些常用合金的的磁特性。

表2
材料 铁磁合金（80%镍） 铁磁合金（48%镍） 硅钢 碳钢
磁导率 8，000 15，000 20，000 22，000
最高 400，000 150，000 5，000 3，000
起始 60，000 12，000 3，000 1，000