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RFID天线HFSS仿真中S11参数
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从昨天到现在一直在纠结这个问题,HFSS里得到的S11参数曲线和自己的计算值不一样。
然后经过了昨天在网站上请教,和跟他人的讨论,终于得到了一个和HFSS接近的结果。
我一开始用来计算反射系数的公式是 t=(zc-za*)/(zc+za),zc是芯片阻抗,za是hfss计算得到的天线阻抗,s11=20lg|t|,得到的结果就跟HFSS相差很大
后来经过大牛的指点,改成t=(zc*-za)/(zc*+za),zc*是芯片阻抗的共轭,也就是仿真时设的端口阻抗,然后s11=10lg"t|,最终得到的结果比较接近
虽然得到了结果,但我还是不理解,按照以前看的文章,反射系数的公式都是t=(zc-za*)/(zc+za),但为什么HFSS里面却采用了t=(zc*-za)/(zc*+za)?
希望牛人再给我指点一下
翻了一下书,确实是概念没搞清,S11就是反射系数,在这里应该算作电压反射系数,所以直接取了10lg。而(zc-za*)/(zc+za)在KVS. Rao的文章里定义的是wave reflection coefficient,和《射频电路设计——理论与应用》里面的定义是不一样的。
目前还不知道为什么会有这样的差异,还是要看书啊!
然后经过了昨天在网站上请教,和跟他人的讨论,终于得到了一个和HFSS接近的结果。
我一开始用来计算反射系数的公式是 t=(zc-za*)/(zc+za),zc是芯片阻抗,za是hfss计算得到的天线阻抗,s11=20lg|t|,得到的结果就跟HFSS相差很大
后来经过大牛的指点,改成t=(zc*-za)/(zc*+za),zc*是芯片阻抗的共轭,也就是仿真时设的端口阻抗,然后s11=10lg"t|,最终得到的结果比较接近
虽然得到了结果,但我还是不理解,按照以前看的文章,反射系数的公式都是t=(zc-za*)/(zc+za),但为什么HFSS里面却采用了t=(zc*-za)/(zc*+za)?
希望牛人再给我指点一下
翻了一下书,确实是概念没搞清,S11就是反射系数,在这里应该算作电压反射系数,所以直接取了10lg。而(zc-za*)/(zc+za)在KVS. Rao的文章里定义的是wave reflection coefficient,和《射频电路设计——理论与应用》里面的定义是不一样的。
目前还不知道为什么会有这样的差异,还是要看书啊!
za是hfss计算的天线的端口阻抗,用这个阻抗计算天线的S11时,应该是按照天线端口在传输最大功率时理想的端口阻抗,这个阻抗就是芯片阻抗的共轭zc*
因此,反射系数t=(zc*-za)/(zc*+za),这和其他的公式本质上没有什么区别
还有在你上一个帖子中这个问题由thirey (上海张江男)在9楼中说的很清楚了
就是概念的问题,你可以回去你之前的帖子再看看他的说法
学习了!
S11参数我导出来时都没有设置反射系数t=(zc*-za)/(zc*+za,不知道对不对哦!
一楼说电压反射系数,所以直接取了10lg?
电压反射系数,不是应该取20lg吗?
学习学习,确实概念得搞清楚
楼主,不知道你的问题解决了没有?这2个公式到底有什么区别呢》?
Man, it`s voltage, not power. If it`s power ratio, it`ll be 20*log.
申明:网友回复良莠不齐,仅供参考。如需专业学习,请查看13.56MHz NFC/RFID天线设计培训课程。
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