关于手机NFC天线的问题

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请问用在手机NFC天线上的铁氧体，磁导率的虚部对NFC天线的性能有什么影响呢？

μ''相当于损耗，这个数字越大在铁氧体内损耗的能量越大，刷卡距离会相应缩短，但是目前我拿到的铁氧体μ''本身差异不大，还有个别厂家没有明确标示出μ''的实际值，所以究竟影响到多大程度我也不是很确定。

谢谢！是否可以理解为，虚部对读卡距离的影响不是特别特别敏感，除非大得离谱。

也想知道！

我司铁氧体的磁导磁图，有兴趣的朋友可以提供样品做测试！

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