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超深亚微米IC设计中的天线效应分析

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超深亚微米IC设计中的天线效应分析

内容简介：本文主要分析了超深亚微米集成电路设计中天线效应产生机理及其消除方法，同时还给出了天线比率的具体计算方法。将这些方法应用于雷达信号处理SOC芯片后端设计中，解决了设计中存在的天线效应问题，保证了一次流片成功。

作者：李蜀霞, 刘辉华, 赵建明, 何春,

关键词：天线效应, 栅氧, 超深亚微米,

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