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如何提取波导宽边纵缝的有源导纳曲线
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各位大牛：
我现在正在设计一个波导缝隙天线阵，在提取导纳曲线的时候，查找了很多资料，也问了几个设计过的人，但是得到了两种不同的方法：模型都是采用了6×6的小阵，采用端馈，共六个端口，但是在数据处理时有两种不同的意见：
其一、直接看S参数，当其虚部为零时，通过实部计算导纳。这种结果计算出来和Stevenson公式符合很好。
其二、每个端口都馈电，比如1瓦，看有源S参数，虚部为零的时候计算通过其实部计算导纳。
我的问题是，到底哪种方法是正确的，或者更有利于制作低副瓣天线。
第二个问题是，在设计耦合缝的时候，耦合缝的缝宽是否和宽边的辐射纵缝宽度一致，在提取阻抗曲线的时候耦合缝缝宽是否需要调整？
我现在正在设计一个波导缝隙天线阵，在提取导纳曲线的时候，查找了很多资料，也问了几个设计过的人，但是得到了两种不同的方法：模型都是采用了6×6的小阵，采用端馈，共六个端口，但是在数据处理时有两种不同的意见：
其一、直接看S参数，当其虚部为零时，通过实部计算导纳。这种结果计算出来和Stevenson公式符合很好。
其二、每个端口都馈电，比如1瓦，看有源S参数，虚部为零的时候计算通过其实部计算导纳。
我的问题是，到底哪种方法是正确的，或者更有利于制作低副瓣天线。
第二个问题是，在设计耦合缝的时候，耦合缝的缝宽是否和宽边的辐射纵缝宽度一致，在提取阻抗曲线的时候耦合缝缝宽是否需要调整？
申明：网友回复良莠不齐，仅供参考。如需专业帮助，请学习业界专家讲授的天线设计视频培训教程。
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