逻辑器件的EMC（二）

逻辑器件的EMC（二）

逻辑器件的EMC（二）

    时钟基频的最大电压幅度决定了低频发射水平，而转换率决定了高频发射。附表二列出了脉冲Vf的下降沿期间的最大电压偏移以及稳定期所测量的电压值。
    在20—200MHz低频段，不同逻辑器件类型的微带PCB的辐射发射，74HCT04的发射水平在预期中是最高的。因为它的脉冲幅值为5.8V，为所有器件中最高的。同样，ECLinPS呈现了低频发射的最低电平以及最低的电压偏移。
    附表三所列为过渡过程中电压偏移为3V的上升和下降时间。更为通用的上升和下降时间的定义为：在电压过渡期的20%和80%之间所测量得到的时间。因为不同器件之间过渡时间上的巨大差异，传统的上升和下降时间的测量几乎与脉冲产生的电压和电流频率成分无关。因为ECLinPS器件的最大电压偏移为0.76V，所以在附表三中仅列出了该器件的转换率。又因为电流脉冲的幅值也在其中扮演了一个重要的角色，以至于电压的转换率无法恰如其分地描写脉冲所产生的高频成分。例如，在频率为770MHz的时间时，ECLinPS器件发射的电压幅度为1.92mV。该值要比74F04器件的3.7mV为低，但是此时来自ECLinPS器件的电流幅度为7.9mV，则稍高于74F04器件的7.3mA。
    试验发现，正如所预期的，除了74HCT04器件以外，高转换率与高频发射之间有着很好的相关性。74HCT04器件虽然有着最高的转换率，但它的发射水平却与转换率稍低的74S04相同。对于象7404、74LS04和74ALS04这样一些转换率稍低的器件，伴随而来的是它们的发射水平也较低。附表三中的标准3V情况下，所测量到的下降时间则被用来决定转换率。
附表一：不同逻辑系列的频率上限
逻辑器件系列    频率上限/MHz    逻辑器件系列    频率上限/MHz
ECLinPS                 1200                 74HCT                 50
74F                 125                 74ALS                 35
74AS                 125                 74LS                 33
74S                   95                 74                 24
附表二：不同逻辑器件最大电压偏移
逻辑器件系列    Vf    V    逻辑器件系列    Vf    V
74F               6.0       3.8       7404               5.5       3.28
74AS               6.5       3.58       74LS               5.2       3.8
74HCT               7.0       5.08      ECLinPS5           0.76     0.76
74ALS04               5.5       3.88            
附表三：不同逻辑器件的上升和下降时间
逻辑系列    tf/ns   tr/ns   转换率V/ns   逻辑系列 tf/ns   tr/ns   转换率V/ns
74F04    3.01   4.0       1.0         74ALS04 3.5   7.27     0.85
74AS04    3.28   3.9       0.9         74HCT04 2.6   3.29     1.15
7404    4.36   10.6       0.68         74S04     3.05   5.0       0.98
74LS04    4.45   8.67     0.67         ECLinPS5 --     --       0.85

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