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双极化微带线阵的交叉极化抑制
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对双极化微带线阵交叉极化的抑制作了理论与实验研究。首先基于奇偶模对称原理,在理论上分析了二元阵倒相馈电技术,然后给出四种不同馈电结构的四元线阵设计,对此进行了分析、比较,获得一种性能比较理想的线阵并作了实测,理论与实测结果很吻合。实测结果表明:该四元线阵的交叉极化电平低于一27dB,两极化端口之间的隔离度在8.74~9.5GHz带宽上均大于34dB。
这种阵列对交叉极化是有好处,不过边频增益会略有损失。
感觉馈电设计的难度不是增加了一点点。
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