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缺陷地结构在多微带天线间互耦抑制中的运用
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这说明了DGS结构能够有效的削弱阵列单元之间的耦合作用。
为了进一步看出DGS对天线的远场辐射特性的改善作用, 图7比较了两种不同结构的阵列天线在谐振频率处的E面辐射方向图。可以看出，E面方向图的改善是明显的, 整个的波束更加收拢,第一副瓣电平的相对值减小了3dB，增益增加不是很明显，提高了大约1dB。可见该DGS结构可以降低天线阵元之间的耦合，减小旁瓣电平，提高天线的增益，从而改进天线阵的辐射性能。
4 结语
本文着重研究了一种DGS结构的带阻特性，及其对微带天线阵的影响。将其应用于微带贴片阵上，并将其与未加DGS结构的微带天线阵进行了比较。结果分析表明，该DGS结构能够明显降低天线阵元之间的耦合，增大天线的增益，对天线性能有明显的改善作用。
图7 E面仿真方向图
这种简单的DGS结构在抑制天线阵列阵元之间耦合的设计中具有很好的应用前景。
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