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ADS中做功分器版图仿真时隔离电阻的定义
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在做1分4微带型Wilkinson功分器版图仿真时，隔离度在-18db左右，除S11外反射系数在-13左右，S11有-30db，但插损和相位效果比较好，插损在-6.1--6.3间，不知是否是隔离电阻定义的不对，首先是100欧的隔离电阻在Momentum中仿真时是不是需要转换单位？也就是说TFR的阻值不是100 ？在有在Substrate中如何定义电阻所在的层？是不是与导体cond同层？resi层中电阻的值是不是也要换算？单位ohm/square与隔离电阻的100欧之间是什么关系?仿真时短口设置有没有特殊要求？问了老多问题请大家帮忙，多谢了！
网友回复:
你好，我刚接触ADS不久，在学习功分器的设计。对隔离电阻TFR的参数设置不大懂，想请教你一下。比如我现在阻值为100欧姆的隔离电阻，这个阻值跟它的W、L、Rs等参数之间是什么关系？我刚刚看到你说的要转换成欧姆/面积，不明白是什么意思。我查了一下，Rs是表面电阻率的意思，不明白这些参数如何设置，请不吝赐教。非常感谢！
网友回复:
要用薄膜电阻。
网友回复:
学习一下
网友回复:
学习
网友回复:
4楼的问题，。。我也想问
申明：网友回复良莠不齐，仅供参考。如需专业帮助，请学习易迪拓培训专家讲授的ADS视频培训课程。
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